[發明專利]在與晶閘管相鄰的溝槽中具有柵極的晶閘管存儲器單元

在審

• 申請號: 201710408034.8
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107464808A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: H·盧安;B·L·貝特曼;V·阿克賽爾拉德;C·程
• 申請（專利權）人: 克勞帕斯科技有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 鄔少俊,王英

1.一種易失性存儲器，包括：

第一多條行線；

第二多條列線；以及

垂直晶閘管的陣列，所述垂直晶閘管具有耦合到所述行線和所述列線之一的陽極，并且具有耦合到所述行線和所述列線中的另一個的陰極。

2.根據權利要求1所述的易失性存儲器，其中，每個垂直晶閘管包括：

第一導電類型的襯底；

相反導電類型的掩埋層，其在第一方向上延伸以提供第一列線和所述晶閘管的陰極；

第一導電類型的第一層，其設置在所述掩埋層上以提供所述晶閘管的第一導電類型的基極；

相反導電類型的第二層，其設置在所述第一層上以提供所述晶閘管的相反導電類型的基極；

第一導電類型的上層，其用于提供所述晶閘管的陽極；以及

導電層，其耦合到所述晶閘管的所述陽極并且在與所述第一方向正交的第二方向上延伸以提供第一行線。

3.根據權利要求2所述的易失性存儲器，還包括：

絕緣材料的深區域，其在所述第一方向上延伸穿過所述掩埋層到達所述襯底以將晶閘管的列彼此分離；以及

絕緣材料的淺區域，其延伸到所述掩埋層以將晶閘管的行彼此分離。

4.根據權利要求3所述的易失性存儲器，其中：

所述襯底包括硅；

所述第一層、所述第二層以及所述上層中的每一個包括外延硅層的部分；并且

所述深區域和所述淺區域中的每一個包括二氧化硅。

5.根據權利要求4所述的易失性存儲器，其中：

所述第一導電類型為P；并且

所述相反導電類型為N。

6.根據權利要求1所述的易失性存儲器，還包括耦合到所述晶閘管的NMOS晶體管。

7.根據權利要求6所述的易失性存儲器，其中：

每個晶閘管包括具有發射極、基極和集電極的PNP晶體管，以及具有發射極、基極和集電極的NPN晶體管；

所述PNP發射極耦合到所述行線，所述PNP基極耦合到所述NPN集電極，所述PNP集電極耦合到所述NPN基極，并且所述NPN集電極耦合到所述列線；

所述NMOS晶體管具有由所述NPN集電極提供的一個電極、由所述NPN發射極提供的另一個電極、以及柵極，所述柵極耦合為當所述柵極導通時將所述NPN集電極連接到所述NPN發射極；并且

所述存儲器陣列包括耦合到多個NMOS晶體管柵極中的所述柵極的柵極線。

8.根據權利要求7所述的易失性存儲器，其中，所述柵極線平行于所述列線延伸。

9.根據權利要求1所述的易失性存儲器，還包括耦合到所述晶閘管的PMOS晶體管。

10.根據權利要求9所述的易失性存儲器，其中：

每個晶閘管包括具有發射極、基極和集電極的PNP晶體管，以及具有發射極、基極和集電極的NPN晶體管；

所述PNP發射極耦合到所述行線，所述PNP基極耦合到所述NPN集電極，所述PNP集電極耦合到所述NPN基極，并且所述NPN集電極耦合到所述列線；

所述PMOS晶體管具有由所述PNP集電極提供的一個電極、由所述PNP發射極提供的另一個電極、以及柵極，所述柵極耦合為當所述柵極導通時將所述PNP集電極連接到所述PNP發射極；并且

所述存儲器陣列包括耦合到多個PMOS晶體管柵極中的所述柵極的柵極線。

11.根據權利要求7所述的易失性存儲器，其中，所述柵極線平行于所述列線延伸。