[發明專利]用于溫度檢測的裝置

在審

• 申請號: 201710407940.6
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107219014A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 趙利軍;王海生;劉英明;許睿;李昌峰;賈亞楠;王鵬鵬;鄭智仁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G01K7/01
• 分類號: G01K7/01;G09G3/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 牛南輝,李崢

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種用于溫度檢測的裝置。

背景技術

隨著移動產品的廣泛應用，人們對電子產品的需求越來越大，顯示面板也有了快速的發展。顯示面板廣泛應用于液晶顯示(LCD)、有機發光二極管顯示(OLED)、電子紙顯示(EPD)以及微顯示等領域。因為液晶的特性和OLED的操作穩定性會隨著溫度的變化而變化，所以顯示效果也會隨之發生變化。因此，了解顯示面板中的溫度的變化可以幫助抵消溫度變化所帶來的不利影響。

發明內容

本發明的實施例提供了一種用于溫度檢測的裝置，該裝置能夠對溫度進行檢測并且具有很高靈敏度，以分辨出溫度的變化所引起的周期的變化。

在本公開的一個方面中，提供一種用于溫度檢測的裝置，其包括：延遲單元，其包括奇數個首尾耦接的反相器；開關晶體管，其控制極與所述延遲單元的輸出端耦接，第一極與所述裝置的工作電壓節點耦接，以及第二極與所述延遲單元的輸入端耦接；第一電容器，其第一端與所述延遲單元的所述輸入端耦接，以及第二端與所述開關晶體管的第一極或所述裝置的接地節點耦接；以及溫敏晶體管，其控制極與所述裝置的偏置電壓端耦接，第一極與所述延遲單元的所述輸入端耦接，以及第二極與所述裝置的接地節點耦接；其中，所述反相器中的至少一個的晶體管的有源區包括具有0.1cm²V^-1s^-1至20cm²V^-1s^-1之間的電子遷移率的半導體材料。

在一個實施例中，所述半導體材料包括非晶硅或氧化物半導體。

在一個實施例中，所述氧化物半導體包括下列中的至少一種：ZnSnO、InZnO、SnO₂、InSnO、InGaO、InGaZnO或其組合。

在一個實施例中，所述開關晶體管和所述溫敏晶體管中的至少一個的有源區包括多晶硅。

在一個實施例中，所述多晶硅為低溫多晶硅。

在一個實施例中，所述反相器中的晶體管、所述開關晶體管和所述溫敏晶體管為薄膜晶體管。

在一個實施例中，所述反相器中的所述至少一個包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中所述第一薄膜晶體管的第一極和控制極與所述裝置的工作電壓節點耦接，所述第一薄膜晶體管的第二極與所述反相器的輸出端耦接，所述第二薄膜晶體管的第一極與所述輸出端耦接，所述第二薄膜晶體管的控制極與所述反相器的輸入端耦接，所述第二薄膜晶體管的第二極與所述裝置的接地節點耦接。

在一個實施例中，所述反相器中的所述至少一個還包括第二電容器，所述第二電容器的第一端與所述第二薄膜晶體管的第一極耦接，所述第二電容器的第二端與所述裝置的接地節點耦接。

在一個實施例中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管為N溝道場效應晶體管。

在本文描述的實施例中，反相器的晶體管的有源區包括第一半導體材料，由于第一半導體材料具有0.1cm²V^-1s^-1至20cm²V^-1s^-1之間的電子遷移率，因此，較低的遷移率增大了反相器的延遲時間，進而提高了用于溫度檢測的裝置的靈敏度，以分辨出溫度的變化所引起的周期的變化。

適應性的進一步的方面和范圍從本文中提供的描述變得明顯。應當理解，本申請的各個方面可以單獨或者與一個或多個其它方面組合實施。還應當理解，本文中的描述和特定實施例旨在說明的目的，并不旨在限制本申請的范圍。

附圖說明

本文中描述的附圖用于僅對所選擇的實施例的說明的目的，并不是所有可能的實施方式，并且不旨在限制本申請的范圍，其中：

圖1示出了根據本發明的實施例的用于溫度檢測的裝置的示意圖；

圖2示出了根據本發明的實施例的用于溫度檢測的裝置的延遲單元的反相器的示意圖；

圖3是圖1的用于檢測溫度的裝置所產生的波形的示意圖；

圖4A和4B示出了根據本發明的實施例的用于溫度檢測的裝置的溫度特性曲線；

圖5A和5B示出了根據本發明的比較例的用于溫度檢測的裝置的溫度特性曲線；

圖6示出了根據本發明的另一個實施例的用于溫度檢測的裝置的示意圖；

圖7示出了根據本發明的另一個實施例的用于溫度檢測的裝置的延遲單元的反相器的示意圖。