[發明專利]用于溫度檢測的裝置

在審

• 申請號: 201710407940.6
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107219014A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 趙利軍;王海生;劉英明;許睿;李昌峰;賈亞楠;王鵬鵬;鄭智仁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G01K7/01
• 分類號: G01K7/01;G09G3/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 牛南輝,李崢

1.一種用于溫度檢測的裝置，其特征在于，包括：

延遲單元，其包括奇數個首尾耦接的反相器；

開關晶體管，其控制極與所述延遲單元的輸出端耦接，第一極與所述裝置的工作電壓節點耦接，以及第二極與所述延遲單元的輸入端耦接；

第一電容器，其第一端與所述延遲單元的所述輸入端耦接，以及第二端與所述開關晶體管的第一極或所述裝置的接地節點耦接；以及

溫敏晶體管，其控制極與所述裝置的偏置電壓端耦接，第一極與所述延遲單元的所述輸入端耦接，以及第二極與所述裝置的接地節點耦接；

其中，所述反相器中的至少一個的晶體管的有源區包括具有0.1cm²V^-1s^-1至20cm²V^-1s^-1之間的電子遷移率的半導體材料。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述半導體材料包括非晶硅或氧化物半導體。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述氧化物半導體包括下列中的至少一種：ZnSnO、InZnO、SnO₂、InSnO、InGaO、InGaZnO或其組合。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述開關晶體管和所述溫敏晶體管中的至少一個的有源區包括多晶硅。

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述多晶硅為低溫多晶硅。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的裝置，其特征在于，所述反相器中的晶體管、所述開關晶體管和所述溫敏晶體管為薄膜晶體管。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述反相器中的所述至少一個包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中所述第一薄膜晶體管的第一極和控制極與所述裝置的工作電壓節點耦接，所述第一薄膜晶體管的第二極與所述反相器的輸出端耦接，所述第二薄膜晶體管的第一極與所述輸出端耦接，所述第二薄膜晶體管的控制極與所述反相器的輸入端耦接，所述第二薄膜晶體管的第二極與所述裝置的接地節點耦接。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述反相器中的所述至少一個還包括第二電容器，所述第二電容器的第一端與所述第二薄膜晶體管的第一極耦接，所述第二電容器的第二端與所述裝置的接地節點耦接。

9.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管為N溝道場效應晶體管。