[發(fā)明專利]一種光電探測器件及其制備方法、觸控基板及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710407754.2
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107240611B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設計）人: 卜倩倩;任慶榮;孫建明
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18;H01L27/146
• 代理公司: 北京金信知識產(chǎn)權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

本申請?zhí)峁┮环N光電探測器件，包括：基板；多晶硅層，形成于所述基板上，多晶硅層中形成有第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；透明的導電膜，至少覆蓋所述多晶硅層上所述第一摻雜區(qū)處；金屬電極，布置于所述多晶硅層上所述第二摻雜區(qū)處，其中，所述導電膜、金屬電極和所述多晶硅層構成PIN器件。本申請同時提供了光電探測器件的制備方法、一種觸控基板和一種顯示面板。本申請實現(xiàn)了光電探測器件的高光電轉(zhuǎn)換效率，且識別能力強。

技術領域

本發(fā)明涉及光電探測領域，特別涉及一種光電探測器件及其制備方法、觸控基板以及顯示面板。

背景技術

光電探測器件是一種將光輻射能轉(zhuǎn)換為電能的器件。現(xiàn)有技術中，光電探測器件在軍事和國民經(jīng)濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。

現(xiàn)有技術中常用的光電探測器件有光敏電阻、光電二極管、光電倍增管等。對于光電探測器件，在提高光電轉(zhuǎn)換效率方面一直存在要求。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的是，提供一種光電轉(zhuǎn)換效率高的光電探測器件及其制備方法，具有該光電探測器件的觸控基板，以及具有該觸控基板的顯示面板。

本發(fā)明提供的一種光電探測器件包括：基板；多晶硅層，形成于所述基板上，所述多晶硅層中形成有第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；

透明的導電膜，至少覆蓋所述多晶硅層上所述第一摻雜區(qū)處；金屬電極，布置于所述多晶硅層上所述第二摻雜區(qū)處，其中，所述導電膜、金屬電極和所述多晶硅層構成PIN器件。

作為優(yōu)選，所述金屬電極與透明導電膜形成為叉指電極。

作為優(yōu)選，所述導電膜還覆蓋所述多晶硅層上第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間的區(qū)域。

作為優(yōu)選，所述多晶硅層上除所述第二摻雜區(qū)之外的區(qū)域還布置有減反膜層。

本發(fā)明提供的一種觸控基板包括：上述的光電探測器件；以及多晶硅TFT器件，其源極/漏極金屬連接至所述金屬電極，所述多晶硅TFT器件配置為能夠讀取PIN器件傳輸?shù)墓怆娞綔y信號。

本發(fā)明提供的一種顯示面板包括上述的觸控基板。

本發(fā)明提供的一種光電探測器件的制備方法包括：制備基板；在基板上形成多晶硅層；在所述多晶硅層的第一區(qū)域形成第一摻雜區(qū)，在所述多晶硅層的第二區(qū)域形成第二摻雜區(qū)；在所述多晶硅層上至少第一摻雜區(qū)處形成透明的導電膜；在所述多晶硅層上第二摻雜區(qū)處形成金屬電極，其中，所述導電膜、金屬電極和所述多晶硅層構成PIN器件。

作為優(yōu)選，在基板上布置多晶硅層包括：在所述基板上形成非晶硅層；對所述非晶硅層進行準分子激光退火形成所述多晶硅層。

作為優(yōu)選，形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)包括：制備第一掩膜和第二掩膜，所述第一掩膜和第二掩膜各包括基部和分別從基部延伸預定長度的多個相互平行的齒部；使用第一掩模在所述第一區(qū)域內(nèi)注入第一離子以形成所述第一摻雜區(qū)；使用第二掩模在所述第二區(qū)域內(nèi)注入第二離子以形成所述第二摻雜區(qū)。

作為優(yōu)選，上述方法還包括：在所述多晶硅層上除所述第二摻雜區(qū)之外的區(qū)域形成減反膜層。

本發(fā)明技術方案的有益效果至少在于，光電探測器件通過設置具有第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的多晶硅層形成PIN光電二極管，顯著提高了光電探測器件的光電轉(zhuǎn)換效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實施例中的光電探測器件的截面結構示意圖。

圖2為圖1所示的光電探測器件中第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的俯視示意圖。

圖3為本發(fā)明的光電探測器件的制備方法中在基板上形成反射金屬層的工序示意圖。