[發明專利]一種光電探測器件及其制備方法、觸控基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201710407754.2
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107240611B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 卜倩倩;任慶榮;孫建明
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18;H01L27/146
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

1.一種光電探測器件，其特征在于，包括：

基板；

多晶硅層，形成于所述基板上，所述多晶硅層中形成有第一摻雜區和第二摻雜區；

透明的導電膜，至少覆蓋所述多晶硅層上所述第一摻雜區處；

金屬電極，布置于所述多晶硅層上所述第二摻雜區處，

其中，所述導電膜、金屬電極和所述多晶硅層構成PIN器件；

所述金屬電極與透明導電膜形成為叉指電極。

2.根據權利要求1所述的光電探測器件，其特征在于，所述導電膜還覆蓋所述多晶硅層上第一摻雜區和第二摻雜區之間的區域。

3.根據權利要求1所述的光電探測器件，其特征在于，所述多晶硅層上除所述第二摻雜區之外的區域還布置有減反膜層。

4.一種觸控基板，其特征在于，包括：

根據權利要求1-3中任一項所述的光電探測器件；以及

TFT器件，其源極/漏極金屬連接至所述金屬電極，所述TFT器件配置為讀取PIN器件輸出的光電探測信號。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求4所述的觸控基板。

6.一種光電探測器件的制備方法，包括：

制備基板；

在基板上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層的第一區域形成第一摻雜區，在所述多晶硅層的第二區域形成第二摻雜區；

在所述多晶硅層上至少第一摻雜區處形成透明的導電膜；

在所述多晶硅層上第二摻雜區處形成金屬電極，

其中，所述導電膜、金屬電極和所述多晶硅層構成PIN器件；

所述金屬電極與透明導電膜形成為叉指電極。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上布置多晶硅層包括：

在所述基板上形成非晶硅層；

對所述非晶硅層進行準分子激光退火形成所述多晶硅層。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，形成第一摻雜區和第二摻雜區包括：

制備第一掩膜和第二掩膜，使所述第一掩膜和第二掩膜各包括基部和分別從基部延伸預定長度的多個相互平行的齒部；

使用第一掩模在所述第一區域內注入第一離子以形成所述第一摻雜區；

使用第二掩模在所述第二區域內注入第二離子以形成所述第二摻雜區。

9.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述多晶硅層上除所述第二摻雜區之外的區域形成減反膜層。