[發(fā)明專利]一種鉛鎵鍺硫晶體,其制備方法及應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710404219.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107338478B | 公開(公告)日: | 2019-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃一枝;張浩;程文旦;柴國(guó)良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/46 | 分類號(hào): | C30B29/46;C30B9/06;G02F1/355 |
| 代理公司: | 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 350002 福建*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鉛鎵鍺硫 晶體 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本申請(qǐng)涉及無機(jī)非線性光學(xué)材料領(lǐng)域,具體講,涉及一種鉛鎵鍺硫晶體,其制備方法及應(yīng)用。本申請(qǐng)的鉛鎵鍺硫晶體的化學(xué)式為PbGa2GeS6,屬正交晶系,空間群Fdd2,單胞參數(shù)為:α=90°,β=90°,γ=90°,Z=16。本申請(qǐng)的晶體具有優(yōu)良的非線性光學(xué)性能,其粉末倍頻強(qiáng)度和激光損傷閾值分別為AgGaS2的0.5倍和5倍。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及無機(jī)非線性光學(xué)材料領(lǐng)域,具體講,涉及一種鉛鎵鍺硫晶體,其制備方法及應(yīng)用。
技術(shù)背景
非線性光學(xué)晶體因其激光頻率轉(zhuǎn)換功能已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于民用及軍用高科技領(lǐng)域,如激光倍頻、影視、印刷等現(xiàn)代激光技術(shù),光通訊及信號(hào)處理,軍用光學(xué)限制器等。目前實(shí)際應(yīng)用的非線性光學(xué)晶體主要是一些無機(jī)氧化物,例如LiB3O5(LBO)、β-BaB2O4(BBO)、KH2PO4(KDP)、KTiOPO4(KTP)等,應(yīng)用范圍主要在紫外–可見至近紅外波段,而可應(yīng)用于中、遠(yuǎn)紅外波段的非線性光學(xué)晶體明顯較少,僅有AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2等。
盡管這些材料一般具有穩(wěn)定性好、紅外透光范圍寬、非線性系數(shù)大等優(yōu)點(diǎn),但隨著科學(xué)技術(shù)發(fā)展,對(duì)高功率激光的需求使這些紅外波段的非線性光學(xué)材料表現(xiàn)出激光損傷閾值的不足。例如Chem.Mater.(2015,Vol.27,914–922)公開的PbGa2GeSe6晶體,是一種具有I-型相位匹配特征的紅外非線性光學(xué)材料,其倍頻效應(yīng)與激光損傷閾值分別為AgGaS2的5倍和3.7倍,但該材料激光損傷閾值仍有待提高。
鑒于此,特提出本申請(qǐng)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的首要發(fā)明目的在于提出一種鉛鎵鍺硫晶體。
本申請(qǐng)的第二發(fā)明目的在于提出該鉛鎵鍺硫晶體的制備方法。
本申請(qǐng)的第三發(fā)明目的在于提出該鉛鎵鍺硫晶體的應(yīng)用。
為了完成本申請(qǐng)的目的,采用的技術(shù)方案為:
本申請(qǐng)涉及一種鉛鎵鍺硫晶體,化學(xué)式為PbGa2GeS6;所述鉛鎵鍺硫晶體屬正交晶系,空間群Fdd2,單胞參數(shù)為:α=90°,β=90°,γ=90°,Z=16。
進(jìn)一步的,所述鉛鎵鍺硫晶體經(jīng)一步自助熔劑法制備得到。
本申請(qǐng)涉及該鉛鎵鍺硫晶體的制備方法,至少包括以下步驟:
(1)將鉛源、三硫化二鎵和二硫化鍺按摩爾比為0.5~4:0.8~1.2:0.8~1.2的比例混合;
(2)將混合后的混合物在真空密封條件下,加熱至500~650℃保溫24~100小時(shí);
(3)降至室溫,即得所述鉛鎵鍺硫晶體。
優(yōu)選的,所述鉛源為氯化鉛;在步驟(1)中,氯化鉛、三硫化二鎵和二硫化鍺的摩爾比為0.5~4:1:1。
優(yōu)選的,所述鉛源為氯化鉛與硫化鉛的混合物,氯化鉛和硫化鉛的摩爾比為0.4~3:0.1~1。
優(yōu)選的,在步驟(1)中,氯化鉛、硫化鉛、三硫化二鎵和二硫化鍺的摩爾比為0.4~3:0.1~1:1:1。
優(yōu)選的,在步驟(2)中,真空度為0.01~10Pa。
優(yōu)選的,在步驟(3)中,所述降至室溫的降溫速度為0.1~10℃/h。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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