[發明專利]一種鉛鎵鍺硫晶體，其制備方法及應用有效
| 申請號： | 201710404219.1 | 申請日： | 2017-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN107338478B | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發明（設計）人： | 黃一枝;張浩;程文旦;柴國良 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46;C30B9/06;G02F1/355 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鉛鎵鍺硫 晶體 制備 方法 應用 | ||
1.一種鉛鎵鍺硫晶體的制備方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
(1)將鉛源、三硫化二鎵和二硫化鍺按摩爾比為0.5～4：0.8～1.2：0.8～1.2的比例混合；
(2)將混合后的混合物在真空密封條件下，加熱至500～650℃保溫24～100小時；
(3)降至室溫，即得所述鉛鎵鍺硫晶體；
所述鉛源為氯化鉛。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中，氯化鉛、三硫化二鎵和二硫化鍺的摩爾比為0.5～4：1：1。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鉛源為氯化鉛與硫化鉛的混合物，氯化鉛和硫化鉛的摩爾比為0.4～3：0.1～1。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中，氯化鉛、硫化鉛、三硫化二鎵和二硫化鍺的摩爾比為0.4～3：0.1～1：1：1。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中，真空度為0.01～10Pa。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述降至室溫的降溫速度為0.1～10℃/h。
7.一種鉛鎵鍺硫晶體，其特征在于，通過權利要求1-6任一所述方法制備，所述鉛鎵鍺硫晶體的化學式為PbGa2GeS6；所述鉛鎵鍺硫晶體屬正交晶系，空間群Fdd2，單胞參數為：α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。
8.如權利要求7所述的鉛鎵鍺硫晶體在用于制備非線性光學器件中的應用。
9.根據權利要求8所述的應用，其特征在于，所述非線性光學器件為激光倍頻器件、激光影視器件、激光印刷器件、光通訊器件、光信號處理器件、信息儲存器件或激光致盲武器。
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