[發明專利]包括鰭式場效應晶體管的半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201710403081.3
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN108122846B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 李東穎;葉致鍇;李宗霖;楊育佳;蕭孟軒
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

在形成包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件的方法中，在FinFET結構的源極/漏極結構和隔離絕緣層上方形成犧牲層。在犧牲層上方形成掩模圖案。通過使用掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化犧牲層和源極/漏極結構，從而形成鄰近于圖案化的犧牲層和圖案化的源極/漏極結構的開口。在開口中形成介電層。在形成介電層之后，去除圖案化的犧牲層以在圖案化的源極/漏極結構上方形成接觸開口。在接觸開口中形成導電層。本發明的實施例還涉及包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件。

技術領域

本發明涉及一種制造半導體集成電路的方法，并且更具體地涉及一種制造包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件的方法和半導體器件。

背景技術

隨著半導體工業在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的過程中進入納米技術工藝節點，來自制造和設計問題的挑戰已經引起了諸如鰭式場效應晶體管(FinFET)的三維設計的發展以及具有高k(介電常數)材料的金屬柵極結構的使用。通常通過使用柵極置換技術制造金屬柵極結構，并且通過使用外延生長方法形成源極和漏極。

發明內容

本發明的實施例提供了一種形成包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件的方法，所述方法包括：在鰭式場效應晶體管結構的源極/漏極結構和隔離絕緣層上方形成犧牲層；在所述犧牲層上方形成掩模圖案；通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化所述犧牲層和所述源極/漏極結構，從而形成鄰近于圖案化的犧牲層和圖案化的源極/漏極結構的開口；在所述開口中形成介電層；在形成所述介電層之后，去除所述圖案化的犧牲層以在所述圖案化的源極/漏極結構上方形成接觸開口；以及在所述接觸開口中形成導電層。

本發明的另一實施例提供了一種形成包括鰭式場效應晶體管(FinFET) 的半導體器件的方法，所述方法包括：在第一鰭式場效應晶體管結構的第一源極/漏極結構、第二鰭式場效應晶體管結構的第二源極/漏極結構以及隔離絕緣層上方形成犧牲層，所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構合并；在所述犧牲層上方形成掩模圖案；通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化所述犧牲層以及所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構，從而分隔開所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構，并且形成鄰近于圖案化的犧牲層以及圖案化的第一源極/漏極結構和圖案化的第二源極/漏極結構的開口；在所述開口中形成介電層；在形成所述介電層之后，去除所述圖案化的犧牲層以分別在所述圖案化的第一源極/漏極結構和所述圖案化的第二源極/漏極結構上方形成接觸開口；以及在所述接觸開口中形成導電層。

本發明的又一實施例提供了一種包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件，包括：第一鰭式場效應晶體管，包括在第一方向上延伸的第一鰭結構和第一源極/漏極結構；第二鰭式場效應晶體管，設置為鄰近于所述第一鰭式場效應晶體管并且包括在所述第一方向上延伸的第二鰭結構和第二源極/漏極結構；以及介電層，將所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構分隔開，其中：所述第一源極/漏極結構在沿著與所述第一方向相交的第二方向的截面中相對于所述第一鰭結構是不對稱的。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A至圖1C示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件制造工藝的各個階段的一個。

圖2A至圖2C示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件制造工藝的各個階段的一個。

圖3A至圖3C示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件制造工藝的各個階段的一個。

圖4A至圖4C示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件制造工藝的各個階段的一個。

圖5A至圖5C示出了根據本發明的一些實施例的半導體器件制造工藝的各個階段的一個。