[發(fā)明專利]包括鰭式場效應晶體管的半導體器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710403081.3
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN108122846B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 李東穎;葉致鍇;李宗霖;楊育佳;蕭孟軒
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件的方法，所述方法包括：

在鰭式場效應晶體管結構的源極/漏極結構和隔離絕緣層上方形成犧牲層；

在所述犧牲層上方形成掩模圖案；

通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化所述犧牲層和所述源極/漏極結構，從而形成鄰近于圖案化的犧牲層和圖案化的源極/漏極結構的開口；

在所述開口中形成介電層；

在形成所述介電層之后，去除所述圖案化的犧牲層以在所述圖案化的源極/漏極結構上方形成接觸開口；以及

在所述接觸開口中形成導電層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在形成所述犧牲層之前，在所述源極/漏極結構和所述隔離絕緣層上方形成第一絕緣層。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層由IV族元素或化合物材料的一種或多種制成。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層由硅基介電材料或鋁基介電材料的一種或多種制成。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括，在圖案化所述犧牲層和所述源極/漏極結構之后并且在形成所述介電層之前：

在所述圖案化的犧牲層和所述圖案化的源極/漏極結構上方形成第二絕緣層。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，進一步包括，在圖案化所述犧牲層和所述源極/漏極結構之后并且在形成所述第二絕緣層之前：

在所述圖案化的源極/漏極結構上方形成硅化物層。

7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，所述犧牲層由與所述隔離絕緣層、第一絕緣層和所述第二絕緣層不同的材料制成。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

所述源極/漏極結構包括鰭結構和在所述鰭結構的兩個相對側面和頂部上形成的一個或多個外延層，以及

圖案化所述源極/漏極結構，從而使得部分地蝕刻在至少一個所述側面上形成的所述一個或多個外延層。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，圖案化所述源極/漏極結構，從而使得部分地蝕刻在兩個所述側面上形成的所述一個或多個外延層。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

所述源極/漏極結構包括嵌入在所述隔離絕緣層內的鰭結構和在所述鰭結構的頂部上形成的一個或多個外延層，以及

圖案化所述源極/漏極結構，從而使得部分地蝕刻所述一個或多個外延層。

11.一種形成包括鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件的方法，所述方法包括：

在第一鰭式場效應晶體管結構的第一源極/漏極結構、第二鰭式場效應晶體管結構的第二源極/漏極結構以及隔離絕緣層上方形成犧牲層，所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構合并；

在所述犧牲層上方形成掩模圖案；

通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化所述犧牲層以及所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構，從而分隔開所述第一源極/漏極結構和所述第二源極/漏極結構，并且形成鄰近于圖案化的犧牲層以及圖案化的第一源極/漏極結構和圖案化的第二源極/漏極結構的開口；

在所述開口中形成介電層；

在形成所述介電層之后，去除所述圖案化的犧牲層以分別在所述圖案化的第一源極/漏極結構和所述圖案化的第二源極/漏極結構上方形成接觸開口；以及

在所述接觸開口中形成導電層。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一源極/漏極結構具有與所述第二源極/漏極結構相同的導電類型。

13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一源極/漏極結構具有與所述第二源極/漏極結構不同的導電類型。