[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710401601.7 | 申請日： | 2017-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN107230661B | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黎午升 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，用于降低在陣列基板中形成交叉設置的信號線時，位于頂層的信號線在爬坡處發(fā)生斷線的幾率。該制備方法包括；在襯底上形成第一導電薄膜，對第一導電薄膜構(gòu)圖形成由導電圖案構(gòu)成的第一導電層，第一導電層包括第一信號線；在第一導電層上形成第二導電薄膜，對第二導電薄膜構(gòu)圖形成由導電圖案構(gòu)成的第二導電層，第二導電層包括第二信號線；第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設置；其中，第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
陣列基板制備時，通常采用銅作為陣列基板中包括源極、漏極及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層的材料。由于銅的性質(zhì)較為活潑，易擴散至其他膜層中，且在高溫或外加電場的作用下，銅易被氧化，影響陣列基板構(gòu)成的顯示器件的顯示效果。因此通常構(gòu)成源漏金屬層的材料還包括鉬鈮(化學式：MoNb)，鉬鈮層通常形成在銅金屬層的上下表面，以對銅進行保護。
然而，光刻膠在鉬鈮層表面的粘附力較低。當在陣列基板中的柵線表面形成數(shù)據(jù)線時，由于柵線自身具有一定的厚度，因此數(shù)據(jù)線在與柵線交疊處存在爬坡現(xiàn)象。在底鉬鈮層、銅金屬層、頂鉬鈮層構(gòu)成的導電膜層的表面涂覆光刻膠(光刻膠在頂鉬鈮層的表面)時，由于光刻膠與頂鉬鈮層的粘附力較低，因此光刻膠在上述爬坡處易產(chǎn)生空隙，在后續(xù)的刻蝕工藝中，刻蝕液從上述空隙處侵入導電膜層中，易使得形成的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用于降低在陣列基板中形成交叉設置的信號線時，位于頂層的信號線在爬坡處發(fā)生斷線的幾率。
為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上形成第一導電薄膜，對所述第一導電薄膜構(gòu)圖形成由導電圖案構(gòu)成的第一導電層，所述第一導電層包括第一信號線；在所述第一導電層上形成第二導電薄膜，對所述第二導電薄膜構(gòu)圖形成由導電圖案構(gòu)成的第二導電層，所述第二導電層包括第二信號線；所述第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設置；其中，所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于所述邊緣兩個頂點之間的直線距離。
可選的，所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影重合區(qū)域的寬度，大于所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影未重合的區(qū)域的寬度。
可選的，所述制備方法還包括：對所述第二導電薄膜進行粗糙化處理。
進一步的，所述對所述第二導電薄膜進行粗糙化處理，包括：在所述第二導電薄膜表面涂覆光刻膠，對所述光刻膠進行前烘、曝光、顯影、后烘工藝，并將所述光刻膠去除。
本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種陣列基板，包括襯底，在襯底上依次設置的第一信號線和第二信號線，所述第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設置；所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于所述邊緣兩個頂點之間的直線距離。
可選的，所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的兩個邊緣均為弧線。
可選的，所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影重合區(qū)域的寬度，大于所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影未重合的區(qū)域的寬度。
可選的，所述第一信號線為柵線和/或公共線，所述第二信號線為數(shù)據(jù)線；或者，所述第一信號線為數(shù)據(jù)線，所述第二信號線為柵線和/或公共線。
可選的，所述第二信號線由依次設置的第一銅擴散阻擋層、銅/銅合金層、第二銅擴散阻擋層構(gòu)成。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學；光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結(jié)構(gòu)中的
