[發(fā)明專利]薄膜晶體管和陣列基板的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710401098.5
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN108987410A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 辛征航;向超宇;李樂;張?zhí)?/a>;張東華;鄧天旸
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 左光明

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管和陣列基板的制備方法。本發(fā)明薄膜晶體管和陣列基板制備方法如下制備有源層的步驟：在薄膜晶體管所含的柵絕緣層外表面采用溶液法形成無機有源前驅體層，后對所述無機有源前驅體層進行退火處理形成無機有源層；至少重復依次以溶液法形成無機有源前驅體層和退火處理為周期的步驟。本發(fā)明薄膜晶體管制備方法結合溶液法采用分步多次制備有源層，從而有效減少有源層因溶液蒸發(fā)等因素產(chǎn)生的缺陷，提高有源層特別是與靠近柵極一端有效溝道層的致密性，從而提高了薄膜晶體管中載流子的遷移率，減少制備的薄膜晶體管的閾值電壓漂移，從而提高制備的薄膜晶體管電學性能。

技術領域

本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管和陣列基板的制備方法。

背景技術

顯示器已經(jīng)成為人們日常工作和生活中不可或缺的部分，隨著液晶顯示器的發(fā)展和有源矩陣概念的深入，薄膜晶體管(TFT)技術得到了廣泛的研究。目前比較成熟的TFT技術包括以氫化非晶硅(a-Si:H TFT)和多晶硅(p-Si TFT)薄膜晶體管為代表的硅基薄膜晶體管等，兩者均已得到廣泛的應用，但前者較低的場效應遷移率及后者較高的成本難以大規(guī)模生產(chǎn)使其發(fā)展遭到了局限性，更不適合下一代顯示技術OLED及QLED的應用。有機薄膜晶體管(OTFT)具備制備方法多、可低溫制備、柔韌度高等優(yōu)勢，但器件穩(wěn)定性較差，且有機物易受水氧等外界條件影響等不利于其進一步應用。由于現(xiàn)有氧化物TFT(氧化物薄膜晶體管)如基于ZnO形成的IGZO(銦鎵鋅氧化物)TFT技術因為其與傳統(tǒng)的非晶硅和多晶硅TFT相比具有高遷移率和穩(wěn)定性，均勻性好等優(yōu)點，而且其薄膜可實現(xiàn)低溫制備，襯底可以選擇柔性的塑料，以制備柔性顯示器件，是近年來備受業(yè)界關注并得到大力發(fā)展的新型TFT背板技術。

目前，制備氧化物TFT的方法通常采用磁控濺射等真空制備方法制備氧化物有源層，但是現(xiàn)有真空制備方法存在對設備要求高，制備成本高，而且濺射沉積的氧化物有源層質量也難控制。

在這種背景下，當前出現(xiàn)了采用溶液法制備金屬氧化物有源層的方法。如當前出現(xiàn)的溶液法制備金屬氧化物有源層的方法是通過噴墨打印的方法制備形成所述金屬氧化物有源層。該溶液法具有低成本、材料成分可控等優(yōu)勢而受到 了廣泛的研究。然而在實際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，該溶液法制備金屬氧化物有源層相對比傳統(tǒng)的真空制備金屬氧化物有源層等方法，制備的氧化物TFT傳輸特性和可靠性較差。研究發(fā)現(xiàn)是該溶液法由于溶劑的存在，且在溶劑揮發(fā)后，造成有源層存在氣孔缺陷。而研究小組針對此所采取的改善方法如調整熱處理條件、前驅體等方法依然要面臨溶液在蒸發(fā)過程中帶來氣孔等問題，這將對氧化物TFT的傳輸特性和可靠性能造成很大影響。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施例的目的在于克服現(xiàn)有技術的上述不足，提供一種薄膜晶體管和陣列基板的制備方法，以及現(xiàn)有采用溶液法制備的氧化物薄膜晶體管所含有源層存在氣孔等不良現(xiàn)象而導致氧化物薄膜晶體管的傳輸特性和可靠性能不理想的技術問題。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的一方面，提供了一薄膜晶體管的制備方法。所述薄膜晶體管制備方法包括如下制備有源層的步驟：

在薄膜晶體管所含的柵絕緣層外表面采用溶液法形成無機有源前驅體層，后對所述無機有源前驅體層進行退火處理形成無機有源層；

在所述無機有源層外表面至少依次重復進行一次所述采用溶液法形成無機有源前驅體層和對所述無機有源前驅體層進行退火處理的步驟。

本發(fā)明的另一方面，提供了一種陣列基板的制備方法。所述陣列基板的制備方法包括形成薄膜晶體管的步驟；所述薄膜晶體管的形成方法是通過本發(fā)明薄膜晶體管的制備方法形成。