[發(fā)明專利]薄膜晶體管和陣列基板的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710401098.5
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN108987410A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 辛征航;向超宇;李樂;張?zhí)?/a>;張東華;鄧天旸
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 左光明

1.一種薄膜晶體管的制備方法，包括如下制備有源層的步驟：

在薄膜晶體管所含的柵絕緣層外表面采用溶液法形成無機有源前驅(qū)體層，后對所述無機有源前驅(qū)體層進行退火處理形成無機有源層；

在所述無機有源層外表面至少依次重復進行一次所述采用溶液法形成無機有源前驅(qū)體層和對所述無機有源前驅(qū)體層進行退火處理的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述退火處理是將形成的所述無機有源前驅(qū)體層經(jīng)干燥處理后先于100-500℃條件下預退火處理1-60min后，繼續(xù)在100-500℃條件下后退火處理0.5-5h。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述預退火處理的溫度為300℃，時間為5min；所述后退火處理的溫度為450℃，時間為3h。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：用于形成無機有源前驅(qū)體層的溶液的溶質(zhì)摩爾濃度為0.1-0.5mol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述無機有源層的材料為IGZO、ZTO中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一所述的制備方法，其特征在于：所述采用溶液法形成無機有源前驅(qū)體層的方法為旋涂法、噴墨打印法中的任一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述旋涂法的工藝條件為：轉(zhuǎn)速為500-5000rpm，旋涂時間為10-60，旋涂溶液的溶質(zhì)摩爾濃度為0.1-0.5M。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述噴墨打印法的工藝條件為：噴頭與襯底間距為1-10mm，噴頭電壓設置為5-20V，旋涂溶液的溶質(zhì)摩爾濃度為0.1-0.5M。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-2、7、8任一所述的制備方法，其特征在于：所述有源層的厚度為20-200nm。

10.一種陣列基板的制備方法，包括形成薄膜晶體管的步驟；其特征在于，所述薄膜晶體管的形成方法是通過權(quán)利要求1-9任一項所述的制備方法形成。