[發明專利]等離子體處理裝置、等離子體處理方法和存儲介質

在審

• 申請號: 201710401003.X
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107452612A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 山涌純
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及一種利用等離子化了的處理氣體進行被處理基板的等離子體處理的技術。

背景技術

在液晶顯示裝置(LCD)等的平板顯示器(FPD)的制造步驟中，存在向作為被處理基板的玻璃基板供給等離子化了的處理氣體，進行蝕刻處理或成膜處理等的等離子體處理的步驟。

例如在將玻璃基板吸附保持于設置在形成為真空氣氛的處理容器內的載置臺的靜電卡盤上的狀態下實施等離子體處理。完成了等離子體處理的玻璃基板，在解除吸附保持狀態并被向載置臺的上方側搬送后，從處理容器被搬出。

此處，有時通過在使等離子體處理后的玻璃基板上升移動時向處理容器內供給氧氣等除電氣體進行等離子體化，來進行靜電卡盤的除電等。另一方面，在玻璃基板的上升移動期間中，因為載置臺的上表面沒有被玻璃基板覆蓋(沒有載置玻璃基板)，所以有受到等離子體到達載置臺所產生的不良影響的危險。

此處在專利文獻1中記載了用作為樹脂的聚酰亞胺制耐蝕膜覆蓋因與作為除電氣體的氧氣的等離子體的接觸而易于腐蝕的碳制載置臺的技術。以高精度地對等離子體處理中的玻璃基板進行溫度調節為目的，在該載置臺的上表面開口有多個用于向玻璃基板的背面供給熱傳遞氣體(例如氦氣)的氣體供給孔。雖然各氣體供給孔的內表面被上述耐蝕膜覆蓋，但是由于樹脂制的耐蝕膜長時間地暴露于等離子體所以腐蝕逐步發展。關于此點，在專利文獻1中記載了在玻璃基板的上升移動期間從氣體供給孔排出氦氣等不活潑氣體，由此阻止等離子體進入該氣體供給孔內，抑制由耐蝕膜覆蓋的氣體供給孔的內壁面的腐蝕的發展的技術。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第4493863號公報第0007、0034、0038～0039段、圖4

發明內容

發明想要解決的技術問題

與上述專利文獻1中記載的技術不同，在由與碳或樹脂制的耐蝕膜相比對除電氣體等離子體耐蝕性高、不需要采取防止腐蝕的對策的材料構成的載置臺中，從降低成本的觀點出發，不需要在玻璃基板的上升移動期間中進行以防止腐蝕為目的的不活潑氣體排出。另外，在專利文獻1中沒有任何有關在玻璃基板移動期間載置臺暴露于除電氣體等離子體所產生的腐蝕以外的不良影響的記載。

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種當使被處理基板從載置臺上升移動的上升期間中形成除電氣體的等離子體時，降低該等離子體對載置臺的影響的技術，該載置臺由對除電氣體的等離子體具有耐蝕性的材料構成。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的等離子體處理裝置，其利用等離子化了的處理氣體對被處理基板進行等離子體處理，上述等離子體處理裝置的特征在于，包括：

處理容器，其用于對被處理基板進行等離子體處理，在內壁面附著上述等離子體處理時生成的副產物；

載置臺，其設置在上述處理容器內，具有用于在吸附保持上述被處理基板的靜電卡盤上的吸附保持位置和該吸附保持位置的上方側位置之間進行被處理基板的升降搬送的升降機構；

除電氣體供給部，其用于向上述處理容器內供給進行被處理基板的除電的除電氣體；

等離子體形成部，其用于在使上述被處理基板上升的期間中形成上述除電氣體的等離子體；和

進入抑制氣體供給部，其在使上述被處理基板上升的期間中，為了抑制附著于上述處理容器的副產物與除電氣體的等離子體的反應成分進入上述被處理基板的下方側，向由上述載置臺與被處理基板夾著的空間供給進入抑制氣體，

上述載置臺由對上述除電氣體的等離子體具有耐蝕性的材料構成。

發明效果

本發明在等離子體處理后的被處理基板的上升移動期間中在處理容器內形成除電氣體的等離子體時，向載置臺與被處理基板之間的空間供給進入抑制氣體。其結果是，因為能夠抑制由除電氣體的等離子體產生的反應成分進入被處理基板的下方側，所以即使在載置臺對除電氣體的等離子體具有耐蝕性時，也能夠抑制由于腐蝕以外的原因對載置臺產生的不良影響。

附圖說明

圖1是實施方式的等離子體處理裝置的縱剖側視圖。

圖2是對于上述等離子體處理裝置的氣體供給系統的說明圖。

圖3是表示蝕刻氣體和稀釋氣體的混合比率與蝕刻速度的關系的示意圖。

圖4是上述等離子體處理裝置的第1整體作用圖。

圖5是上述等離子體處理裝置的第1擴大作用圖。

圖6是上述等離子體處理裝置的第2整體作用圖。

圖7是上述等離子體處理裝置的第2擴大作用圖。