[發(fā)明專利]等離子體處理裝置、等離子體處理方法和存儲介質(zhì)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710401003.X
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107452612A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山涌純
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其用于利用等離子化了的處理氣體對被處理基板進(jìn)行等離子體處理，所述等離子體處理裝置的特征在于，包括：

處理容器，其用于對被處理基板進(jìn)行等離子體處理，在內(nèi)壁面附著所述等離子體處理時生成的副產(chǎn)物；

載置臺，其設(shè)置在所述處理容器內(nèi)，具有用于在吸附保持所述被處理基板的靜電卡盤上的吸附保持位置與該吸附保持位置的上方側(cè)的位置之間進(jìn)行被處理基板的升降搬送的升降機(jī)構(gòu)；

除電氣體供給部，其用于向所述處理容器內(nèi)供給對被處理基板進(jìn)行除電的除電氣體；

等離子體形成部，其用于在使所述被處理基板上升期間中形成所述除電氣體的等離子體；和

進(jìn)入抑制氣體供給部，在使所述被處理基板上升期間中，為了抑制附著在所述處理容器的副產(chǎn)物與除電氣體的等離子體的反應(yīng)成分進(jìn)入所述被處理基板的下方側(cè)，向由所述載置臺和被處理基板夾著的空間供給進(jìn)入抑制氣體，

所述載置臺由對所述除電氣體的等離子體具有耐蝕性的材料構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述進(jìn)入抑制氣體的分子量比所述除電氣體的分子量大。

3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述處理氣體包括與被處理基板作用的作用氣體和用于稀釋所述作用氣體的稀釋氣體，使用稀釋氣體作為所述除電氣體。

4.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述等離子體處理是對形成于被處理基板的被蝕刻膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理，所述作用氣體是對所述被蝕刻膜具有蝕刻作用的蝕刻氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述進(jìn)入抑制氣體是蝕刻氣體。

6.如權(quán)利要求1～5中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

對所述除電氣體的等離子體具有耐蝕性的材料是金屬材料。

7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

在所述金屬材料形成有鈍化膜。

8.如權(quán)利要求1～7中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述載置臺包括用于在所述等離子體處理期間中向載置于所述吸附保持位置的被處理基板的背面供給熱傳遞氣體的氣體供給路徑，進(jìn)入抑制氣體供給部經(jīng)由所述氣體供給路徑向由所述載置臺和被處理基板夾著的空間供給進(jìn)入抑制氣體。

9.一種等離子體處理方法，其用于對被處理基板進(jìn)行等離子體處理，所述等離子體處理方法的特征在于，包括：

在設(shè)置于處理容器內(nèi)的載置臺的靜電卡盤上的吸附保持位置吸附保持被處理基板，利用等離子化了的處理氣體進(jìn)行所述被處理基板的等離子體處理的步驟；

使所述等離子體處理后的被處理基板向所述吸附保持位置的上方側(cè)的位置上升的步驟；

在使被處理基板上升的期間中，向所述處理容器內(nèi)供給除電氣體，形成該除電氣體的等離子體來進(jìn)行所述被處理基板的除電的步驟；和

在使所述被處理基板上升期間中，為了抑制附著在所述處理容器的副產(chǎn)物與除電氣體的等離子體的反應(yīng)成分進(jìn)入所述被處理基板的下方側(cè)，向由所述載置臺和被處理基板夾著的空間供給進(jìn)入抑制氣體的步驟，

所述載置臺由對所述除電氣體的等離子體具有耐蝕性的材料構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述進(jìn)入抑制氣體的分子量比所述除電氣體的分子量大。

11.如權(quán)利要求9或10所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述處理氣體包括與被處理基板作用的作用氣體和用于稀釋所述作用氣體的稀釋氣體，使用稀釋氣體作為所述除電氣體。

12.如權(quán)利要求11所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述等離子體處理是對形成于被處理基板的被蝕刻膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理，所述作用氣體是對所述被蝕刻膜具有蝕刻作用的蝕刻氣體。

13.如權(quán)利要求12所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述進(jìn)入抑制氣體是蝕刻氣體。

14.一種存儲介質(zhì)，其儲存有在用于利用等離子化了的處理氣體對被處理基板進(jìn)行等離子體處理的等離子體處理裝置中使用的計算機(jī)程序，所述存儲介質(zhì)的特征在于：

所述程序編入有用于實(shí)施權(quán)利要求9～13的任一項所述的等離子體處理方法的步驟。