[發明專利]軟性電子裝置的形成方法有效
| 申請號: | 201710400016.5 | 申請日: | 2017-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108987338B | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發明(設計)人: | 陳諺宗;蘇振豪 | 申請(專利權)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限責任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 210038 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 軟性 電子 裝置 形成 方法 | ||
本發明公開了一種軟性電子裝置的形成方法,包括:提供承載基板;在承載基板上形成離型層;在離型層上形成軟性基板,軟性基板具有相對的第一表面與第二表面,第一表面是面對離型層,其中軟性基板不接觸承載基板;在軟性基板上形成元件層,元件層具有相對的第三表面與第四表面,第三表面是面對軟性基板;以及使軟性基板與離型層分離,并使離型層保留在承載基板上。借此,可以回收離型層與承載基板。
技術領域
本發明是有關于一種軟性顯示裝置的形成方法,特別是有關于可以回收離型層與承載基板的形成方法。
背景技術
近年來,業界推出了可撓性的顯示器或觸控模塊。在制作可撓性裝置時,需要將可撓性基板固定在玻璃承載基板上后再形成電子元件,最后再將可撓性基板自玻璃承載基板剝離,即完成可撓性裝置。然而當剝離可撓性基板時,可撓性基板與玻璃承載基板之間的吸附力可能會導致可撓性基板不易剝離,甚至可能會產生電子元件受損等狀況。因此如何改善上述的剝離工藝成為業界需解決之問題之一。
發明內容
本發明提出一種軟性電子裝置的形成方法,可以回收離型層與承載基板。
本發明的實施例提出一種軟性電子裝置的形成方法,形成方法包括:提供承載基板;在承載基板上形成離型層;在離型層上形成軟性基板,軟性基板具有相對的第一表面與第二表面,第一表面是面對離型層,其中軟性基板不接觸承載基板;在軟性基板上形成元件層,元件層具有相對的第三表面與第四表面,第三表面是面對軟性基板;以及使軟性基板與離型層分離,并使離型層保留在承載基板上。
在一些實施例中,軟性基板與離型層之間的剝離力大于或等于5gf/cm并且小于或等于10gf/cm。
在一些實施例中,軟性基板與離型層之間的剝離力小于離型層與承載基板之間的剝離力。
在一些實施例中,元件層包括觸控電極、薄膜晶體管、發光二極管、或其組合。
在一些實施例中,軟性基板包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、環烯烴聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙酰酸甲酯、環烯烴共聚物、三醋酸纖維素、聚丙烯、聚苯乙烯或玻璃。
在一些實施例中,軟性基板在承載基板上的投影是完全位于離型層在承載基板上的投影內。
在一些實施例中,離型層具有第一邊、第二邊、第三邊與第四邊,其中第一邊與第三邊相對設置,第二邊與第四邊相對設置。上述形成軟性基板的步驟包括:從離型層的第二邊涂布軟性基板的材料至離型層的第四邊。軟性基板與離型層的第一邊之間具有第一間距,軟性基板與離型層的第二邊之間具有第二間距,軟性基板與離型層的第三邊之間具有第三間距,軟性基板與離型層的第四邊之間具有第四間距,并且第二間距和第四間距大于第一間距和第三間距。
在一些實施例中,在使軟性基板與離型層分離的步驟之前,形成方法還包括:在元件層的第四表面上設置第一支持層。
在一些實施例中,第一支持層與元件層之間的粘著力大于軟性基板與離型層之間的粘著力。
在一些實施例中,在使軟性基板與離型層分離的步驟之后,形成方法還包括:在軟性基板的第一表面上設置第二支持層。
在一些實施例中,在軟性基板的第一表面上設置第二支持層的步驟之后,形成方法還包括:將第一支持層、元件層、軟性基板與第二支持層分割為多個區域以形成多個軟性電子單元;以及移除第一支持層。
在一些實施例中,在移除第一支持層的步驟之后,形成方法還包括:在元件層的第四表面上設置保護膜、偏光片、保護玻璃、或其組合。
在一些實施例中,第二支持層為偏光片,并且在移除第一支持層的步驟之后,在元件層的第四表面上設置保護膜、保護玻璃、或其組合。
在一些實施例中,在使軟性基板與離型層分離之后,形成方法還包括:清洗離型層與承載基板;以及在離型層上形成另一個軟性基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





