[發明專利]軟性電子裝置的形成方法有效
| 申請號: | 201710400016.5 | 申請日: | 2017-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108987338B | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發明(設計)人: | 陳諺宗;蘇振豪 | 申請(專利權)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限責任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 210038 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 軟性 電子 裝置 形成 方法 | ||
1.一種軟性電子裝置的形成方法,其特征在于,所述形成方法包括:
提供承載基板;
在所述承載基板上形成離型層;
在所述離型層上形成軟性基板,所述軟性基板具有相對的第一表面與第二表面,所述第一表面是面對所述離型層,其中所述軟性基板不接觸所述承載基板;
在所述軟性基板上形成元件層,所述元件層具有相對的第三表面與第四表面,所述第三表面是面對所述軟性基板;
在所述元件層的所述第四表面上設置第一支持層,所述第一支持層與所述元件層之間的粘著力大于所述軟性基板與所述離型層之間的粘著力;
在所述元件層的所述第四表面上設置所述第一支持層的步驟之后,使所述軟性基板與所述離型層分離,并使所述離型層保留在所述承載基板上,其中所述軟性基板、所述元件層與所述第一支持層從所述承載基板與所述離型層上取下;
在使所述軟性基板與所述離型層分離的步驟之后,在所述軟性基板的所述第一表面上設置第二支持層;
從所述元件層的所述第四表面上移除所述第一支持層;以及
在從所述元件層的所述第四表面上移除所述第一支持層之后,在所述元件層的所述第四表面上設置保護膜、偏光片、保護玻璃、或其組合。
2.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述軟性基板與所述離型層之間的剝離力大于或等于5gf/cm并且小于或等于10gf/cm。
3.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述軟性基板與所述離型層之間的剝離力小于所述離型層與所述承載基板之間的剝離力。
4.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述元件層包括觸控電極、薄膜晶體管、發光二極管、或其組合。
5.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述軟性基板包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、環烯烴聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙酰酸甲酯、環烯烴共聚物、三醋酸纖維素、聚丙烯、聚苯乙烯或玻璃。
6.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述軟性基板在所述承載基板上的投影是完全位于所述離型層在所述承載基板上的投影內。
7.如權利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述離型層具有第一邊、第二邊、第三邊與第四邊,所述第一邊與所述第三邊相對設置,所述第二邊與所述第四邊相對設置,形成所述軟性基板的步驟包括:
從所述離型層的所述第二邊涂布所述軟性基板的材料至所述離型層的所述第四邊,其中所述軟性基板與所述離型層的所述第一邊之間具有第一間距,所述軟性基板與所述離型層的所述第二邊之間具有第二間距,所述軟性基板與所述離型層的所述第三邊之間具有第三間距,所述軟性基板與所述離型層的所述第四邊之間具有第四間距,并且所述第二間距和所述第四間距大于所述第一間距和所述第三間距。
8.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,在所述軟性基板的所述第一表面上設置所述第二支持層的步驟之后,所述形成方法還包括:
將所述第一支持層、所述元件層、所述軟性基板與所述第二支持層分割為多個區域以形成多個軟性電子單元。
9.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述第二支持層為偏光片。
10.如權利要求1所述的形成方法,其特征在于,在使所述軟性基板與所述離型層分離之后,所述形成方法還包括:
清洗所述離型層與所述承載基板;以及
在所述離型層上形成另一個軟性基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





