[發(fā)明專利]一種掩模板圖案的測量方法

有效

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• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107329365B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒彥雙
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州市西陵紡機(jī)工具廠
• 主分類號: G03F1/44
• 分類號: G03F1/44;G03F1/84
• 代理公司: 北京華識知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11530
• 代理人: 劉艷玲

本發(fā)明的一種掩模板圖案的測量方法，能精確檢測掩模板上圖案的變化，從而提高晶片上后續(xù)外延工藝的對準(zhǔn)精度，方案是，掩模板上圖案化部分劃分為各個小區(qū)域，各個小區(qū)域之間在行與列方向上具有若干個掩膜標(biāo)記，掩模板上圖案化部分形狀變化會帶動掩膜標(biāo)記尺寸的變化，光探測器能夠精確檢測掩膜標(biāo)記尺寸變化。本發(fā)明利用光探測器能夠精確檢測掩膜標(biāo)記尺寸變化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)達(dá)到精確檢測掩模板上圖案的變化的效果，檢測方法簡單有效；掩模板通過刻蝕工藝在上述標(biāo)記層上形成掩模標(biāo)記或圖案化工藝在晶片上的襯底中形成多個孔洞的方式形成掩模標(biāo)記，從而提高光探測器對掩膜標(biāo)記的更為精確的探測，具有很大的實(shí)用價值和推廣價值。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及掩模板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩模板圖案的測量方法。

背景技術(shù)

掩模板的圖案化部分分別具有透明和不透明的部分，然而集成電路中形成一層置于另一層的工藝精度受輻射曝光用的輻射束引起的掩模板的加熱影響，具體地，在曝光過程中由于掩模板吸收輻射束發(fā)出光的能量而導(dǎo)致掩模板升溫，其中掩模板的中央部分的溫度大于其周邊附近的溫度，即導(dǎo)致掩模板熱膨脹，該熱膨脹則導(dǎo)致在晶片上掩模板圖案的變化，由此需要對上述掩模板圖案的變化進(jìn)行測量，以此獲得掩模板上圖案的精確變化，進(jìn)而提高晶片上后續(xù)外延工藝的對準(zhǔn)精度。

所以本發(fā)明提供一種新的方案來解決此問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述情況，為克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，本發(fā)明將掩模板上圖案化部分劃分為各個小區(qū)域，并對其掩膜標(biāo)記，通過光探測器檢測掩膜標(biāo)記尺寸變化進(jìn)而可以精確檢測掩模板上圖案的變化，從而提高晶片上后續(xù)外延工藝的對準(zhǔn)精度。

其解決的技術(shù)方案是，掩模板上圖案化部分劃分為各個小區(qū)域，各個小區(qū)域之間在行與列方向上具有若干個掩膜標(biāo)記，掩模板上圖案化部分形狀變化會帶動掩膜標(biāo)記尺寸的變化，光探測器能夠精確檢測掩膜標(biāo)記尺寸變化，具體方法步驟如下：

1），將掩模板上圖案化部分劃分為各個小區(qū)域，各個小區(qū)域構(gòu)成矩陣形式，在行與列方向上的相鄰的小區(qū)域之間形成若干個掩膜標(biāo)記a、b；

2），使用光探測器測量處于矩陣中偏中心位置小區(qū)域如標(biāo)號1小區(qū)域的相鄰兩邊處的掩模標(biāo)記a的尺寸是否有變化，以及使用光探測器測量處于矩陣中偏邊緣位置小區(qū)域如標(biāo)號2小區(qū)域的相鄰兩邊處的掩模標(biāo)記b的尺寸是否有變化；

3），根據(jù)上述標(biāo)記a、b的測量結(jié)果而判定掩模板熱膨脹形式，進(jìn)而調(diào)整控制器對上述掩模板上的圖案進(jìn)行修正以使得后續(xù)晶片上外延工藝各層之間的對準(zhǔn)精度更高。

優(yōu)選地，所述掩模板上圖案化部分劃分為各個小區(qū)域構(gòu)成矩陣可以為3×3矩陣，亦可以設(shè)置為4×4、5×5、6×6……N×N矩陣，其中N≥3，測量標(biāo)記a、b變化的精度更為精確；所述標(biāo)記a、標(biāo)記b的數(shù)量亦可以依據(jù)設(shè)備規(guī)格而設(shè)置數(shù)量，且數(shù)量越多越精確。

由于以上技術(shù)方案的采用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1），利用光探測器能夠精確檢測掩膜標(biāo)記尺寸變化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)達(dá)到精確檢測掩模板上圖案的變化的效果，檢測方法簡單有效；

2), 掩模板通過刻蝕工藝在上述標(biāo)記層上形成掩模標(biāo)記或圖案化工藝在晶片上的襯底中形成多個孔洞的方式形成掩模標(biāo)記，從而提高光探測器對掩膜標(biāo)記的更為精確的探測，具有很大的實(shí)用價值和推廣價值。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種掩模板圖案的測量方法的區(qū)域劃分示意圖。

圖2為本發(fā)明一種掩模板圖案的測量方法的掩膜標(biāo)記方式1圖。

圖3為本發(fā)明一種掩模板圖案的測量方法的掩膜標(biāo)記方式2圖。

圖4為本發(fā)明一種掩模板圖案的測量方法的掩模板熱膨脹倒漏斗形式圖。

圖5為本發(fā)明一種掩模板圖案的測量方法的掩模板熱膨脹倒梯形式圖。