[發明專利]一種掩模板圖案的測量方法

有效

• 申請號: 201710398624.7
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107329365B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 鄒彥雙
• 申請（專利權）人: 泰州市西陵紡機工具廠
• 主分類號: G03F1/44
• 分類號: G03F1/44;G03F1/84
• 代理公司: 北京華識知識產權代理有限公司 11530
• 代理人: 劉艷玲

1.一種掩模板圖案的測量方法，其特征在于，掩模板(10)上圖案化部分劃分為各個小區域(20)，各個小區域(20)之間在行與列方向上具有若干個掩膜標記a、b，掩模板(10)上圖案化部分形狀變化會帶動掩膜標記尺寸的變化，光探測器能夠精確檢測掩膜標記尺寸變化，具體方法步驟如下：

1），將掩模板(10)上圖案化部分劃分為各個小區域(20)，各個小區域(20)構成矩陣形式，在行與列方向上的相鄰的小區域之間形成若干個掩膜標記a、b；

2），使用光探測器測量處于矩陣中偏中心位置小區域如標號1小區域的相鄰兩邊處的掩模標記a的尺寸是否有變化，以及使用光探測器測量處于矩陣中偏邊緣位置小區域如標號2小區域的相鄰兩邊處的掩模標記b的尺寸是否有變化；

3），根據上述標記a、b的測量結果而判定掩模板(10)熱膨脹形式，進而調整控制器對上述掩模板(10)上的圖案進行修正以使得后續晶片上外延工藝各層之間的對準精度更高。

2.如權利要求1所述的一種掩模板圖案的測量方法，其特征在于，所述掩模板(10)上圖案化部分劃分為各個小區域(20)構成矩陣，設置為3×3矩陣或4×4、5×5、6×6……N×N矩陣，其中N≥3，測量掩模標記a、b變化的精度更為精確；所述掩模標記a、標記b的數量亦可以依據設備規格而設置數量，且數量越多越精確。

3.如權利要求1或2所述的一種掩模板圖案的測量方法，其特征在于，所述掩膜標記a、b形成有如下兩種方式：

A)，在掩模板(10)劃分的矩陣小區域之間形成一標記層，材質包括氧化硅或氮化硅中一種或多種，通過刻蝕工藝在上述標記層上形成掩模標記a、b，且上述掩模標記a、b的深度應小于標記層的厚度以防止標記對掩模板(10)的損傷；

B），直接在掩模板(10)上矩陣小區域(20)之間的部分通過圖案化工藝在晶片上的襯底中形成多個孔洞，進而通過離子(30)注入選擇性地在上述孔洞的底部和側面形成雜質膜(40)，上述帶有雜質膜(40)的孔洞即構成掩膜標記a、b，上述具有雜質膜(40)的孔洞能夠由于雜質膜(40)與襯底之間對輻射光束反射率的差異，而提高光探測器對掩膜標記a、b的更為精確的探測。

4.如權利要求1所述的一種掩模板圖案的測量方法，其特征在于，所述光探測器將標記a、b尺寸的變化，轉化為電流強度的變化，計算確定標記a、b尺寸的偏移量。