[發(fā)明專利]集成電路二維形成互連及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法及其裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710395335.1 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108122886B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳佳典;劉相瑋;楊岱宜;朱韋臻 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/522 | 分類號(hào)： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 二維 形成 互連 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 方法 及其 裝置 | ||
1.一種形成互連的方法，其特征在于，包含：
在一基板上方形成具有多個(gè)第一側(cè)壁的多個(gè)介電結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)介電結(jié)構(gòu)的至少一第一介電結(jié)構(gòu)及一第二介電結(jié)構(gòu)彼此平行；
移除該第一介電結(jié)構(gòu)的一部分以形成多個(gè)第二側(cè)壁，所述多個(gè)第二側(cè)壁在該互連的一上視角上與所述多個(gè)第一側(cè)壁彼此不平行，其中該移除部分具有一第一寬度；
在每一所述第一側(cè)壁及每一所述第二側(cè)壁上形成一間隔物；
移除所述多個(gè)介電結(jié)構(gòu)；
在不由位于每一所述第一側(cè)壁及每一所述第二側(cè)壁上的所述間隔物保護(hù)的該基板的區(qū)域中形成多個(gè)溝槽，其中每一所述溝槽具有等于或小于5納米并等于該第一寬度的三分之一的一第二寬度；以及
在所述溝槽中設(shè)置一導(dǎo)電材料以形成多個(gè)導(dǎo)線，其中所述多個(gè)導(dǎo)線的至少一第一導(dǎo)線及一第二導(dǎo)線彼此物理接觸并相交。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每一所述介電結(jié)構(gòu)具有一高度及一寬度，該高度為該第二寬度的一至三倍，該寬度相等于該第二寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線中之一形成于所述多個(gè)第二側(cè)壁之間。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含研磨該些導(dǎo)線及該基板以形成一平坦化表面。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該些間隔物具有相等于該第二寬度的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線彼此垂直。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線連接于一角度，該角度小于90度。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該些間隔物還包含各向同性地于該基板上設(shè)置一間隔物層，及各向異性地蝕刻該間隔物層。
9.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包含：
提供一基板，該基板具有一硬屏蔽層；
于該硬屏蔽層上形成多個(gè)非金屬組件，其中所述多個(gè)非金屬組件在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一上視角上彼此平行；
蝕刻所述多個(gè)非金屬組件中的至少一非金屬組件以形成該至少一非金屬組件的一第一部分及一第二部分，其中該第一部分與該第二部分之間的一距離相等于一第一尺寸；
于該基板上設(shè)置一間隔物層并蝕刻該間隔物層以形成位于所述多個(gè)非金屬組件的側(cè)壁的多個(gè)間隔物，其中所述多個(gè)間隔物的一寬度相等于一第二尺寸，該第二尺寸等于或小于5納米并相等于該第一尺寸的三分之一；
移除所述多個(gè)非金屬組件；
以所述多個(gè)間隔物為一屏蔽組件而蝕刻該硬屏蔽層及該基板以形成一第一溝槽及一第二溝槽，其中該第一溝槽及該第二溝槽相交并分別沿一第一方向及一第二方向延伸，該第一方向及該第二方向在該上視角上彼此相異；以及
在該第一溝槽及該第二溝槽中設(shè)置一導(dǎo)電材料以分別形成一第一導(dǎo)線及一第二導(dǎo)線，其中該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線彼此物理接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個(gè)非金屬組件的一高度相等于該第二尺寸的一至三倍，而所述多個(gè)非金屬組件的一寬度相等于該第二尺寸。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線的寬度相等于該第二尺寸。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一導(dǎo)線形成于該第一部分及該第二部分之間的一空間。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一導(dǎo)線在該上視角上垂直于該第二導(dǎo)線。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線于一角度物理接觸，該角度為45度。
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