[發明專利]一種上電復位電路

在審

• 申請號: 201710395051.2
• 申請日: 2017-05-30
• 公開（公告）號: CN107222191A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長沙方星騰電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于半導體集成電路技術領域，具體涉及一種上電復位電路。

背景技術

上電復位電路的作用在于：在電路上電期間產生復位信號對系統進行復位，目前的上電復位電路大都結構復雜，占用芯片面積大。

如公開號為CN101795129A的上電復位電路，其在電源電壓達到第一規定電壓時輸出復位信號，該上電復位電路包括：第一輸出電路，其具有第一PMOS晶體管和第一電流源，且具有第一輸出電路反轉閾值電壓，對第一控制電路進行控制；第二輸出電路，其具有第二PMOS晶體管和第二電流源，且具有作為比所述第一輸出電路反轉閾值電壓低的第二輸出電路反轉閾值電壓的所述第一規定電壓。該第二輸出電路以如下方式進行工作：當所述電源電壓高于所述第一規定電壓時，輸出所述復位信號；第一源極跟隨電路，其被施加比所述第二輸出電路反轉閾值電壓低的基準電壓，向所述第一控制電路的輸入端子輸出基于所述基準電壓的電壓；第二源極跟隨電路，其被施加所述基準電壓，向所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管的柵極輸出基于所述基準電壓的電壓；所述第一控制電路，其具有第一電容，且以如下方式進行工作：當所述電源電壓高于所述第一輸出電路反轉閾值電壓時，開始對所述第一電容進行充電，在經過規定時間后，不輸出所述復位信號；以及第二控制電路，其具有第二電容，當所述電源電壓低于第二規定電壓時，該第二控制電路將所述第二電容與所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管的柵極連接起來。

該上電復位電路具有第一輸出電路、第二輸出電路、第一源極跟隨電路、第二源極跟隨電路、第一控制電路、第二控制電路等實現電路的復位，結構復雜，占用芯片面積大。

發明內容

為解決現有上電復位電路需要對電源進行比較復雜的檢測，然后輸出一個有效的復位信號，從而造成復位電路比較復雜，占用芯片面積大的技術問題，本發明提供了一種電路結構簡單的上電復位電路。

一種上電復位電路，包括：第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管N1、電阻R1、電容C1以及反相器INV1；第一PMOS晶體管P1的源極接電源，柵極和漏極相接并接到第二PMOS晶體管P2的漏極以及電阻R1的一端；電阻R1的另一端接電容C1的一端以及第一NMOS晶體管N1的柵極；電容C1的另一端接地；第二PMOS晶體管P2的源極接電源，柵極接第一NMOS晶體管N1的漏極以及反相器INV1的輸入；第一NMOS晶體管N1的源極接地；反相器INV1的輸出為電路的輸出端OUT。上述方案提供的上電復位電路中，利用電源電壓與第一PMOS晶體管和第一NMOS晶體管閾值之和比較，產生電路的上電復位信號，大大簡化了上電復位電路，減小了芯片面積，從而降低了系統的成本。

附圖說明

圖1是本發明實施方式提供的上電復位電路結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明了，下面結合具體實施方式并參照附圖，對本發明進一步詳細說明。應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本發明的概念。

為了解決現有上電復位電路結構比較復雜，占用芯片面積大，成本高的技術問題，本發明提供了一種電路結構簡單的上電復位電路。如圖1所示，包括：第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管N1、電阻R1、電容C1以及反相器INV1；第一PMOS晶體管P1的源極接電源V_DD，柵極和漏極相接并接到第二PMOS晶體管P2的漏極以及電阻R1的一端；電阻R1的另一端接電容C1的一端以及第一NMOS晶體管N1的柵極；電容C1的另一端接地；第二PMOS晶體管P2的源極接電源V_DD，柵極接第一NMOS晶體管N1的漏極以及反相器INV1的輸入；第一NMOS晶體管N1的源極接地；反相器INV1的輸出為電路的輸出端OUT。

本發明的上電復位電路中，當電源電壓超過第一PMOS晶體管P1的閾值電壓與第一NMOS晶體管N1的閾值電壓之和時，第一NMOS晶體管N1導通，輸出一個復位信號。

上述方案提供的上電復位電路中，利用電源電壓與第一PMOS晶體管和第一NMOS晶體管閾值之和比較，產生電路的上電復位信號，大大簡化了上電復位電路，減小了芯片面積，從而降低了系統的成本。

應當理解的是，本發明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發明的原理，而不構成對本發明的限制。因此，在不偏離本發明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。此外，本發明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內的全部變化和修改例。