[發(fā)明專利]一種上電復(fù)位電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710395051.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107222191A | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 長(zhǎng)沙方星騰電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/22 | 分類號(hào)： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 410205 湖南省長(zhǎng)沙市長(zhǎng)沙高新開*** | 國(guó)省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 復(fù)位 電路 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種上電復(fù)位電路，其特征在于，包括：第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管N1、電阻R1、電容C1以及反相器INV1；第一PMOS晶體管P1的源極接電源VDD，柵極和漏極相接并接到第二PMOS晶體管P2的漏極以及電阻R1的一端；電阻R1的另一端接電容C1的一端以及第一NMOS晶體管N1的柵極；電容C1的另一端接地；第二PMOS晶體管P2的源極接電源VDD，柵極接第一NMOS晶體管N1的漏極以及反相器INV1的輸入；第一NMOS晶體管N1的源極接地；反相器INV1的輸出為電路的輸出端OUT。
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