[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710392393.9
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107195659B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 操彬彬;錢海蛟;楊成紹;黃寅虎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/822
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種陣列基板的制作方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成半導體層；

在所述半導體層上沉積刻蝕阻擋層材料；

在所述刻蝕阻擋層材料上形成掩模圖案；

以所述掩模圖案為掩模對所述刻蝕阻擋層材料采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層；

以所述掩模圖案為掩模對所述半導體層采用干法刻蝕以形成有源層，

其中，所述有源層包括第一區域以及圍繞所述第一區域的第二區域，所述刻蝕阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的第一區域在所述襯底基板上的正投影完全重合。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其中，所述形成刻蝕阻擋層包括：

刻蝕未被所述掩模圖案覆蓋的以及位于所述有源層的第二區域上的所述刻蝕阻擋層材料以形成位于所述有源層的第一區域上的所述刻蝕阻擋層。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其中，所述刻蝕阻擋層的邊緣與所述有源層的邊緣沿平行于所述襯底基板的方向的最小距離為0.5-1.5μm。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，還包括：

在所述刻蝕阻擋層上形成源極和漏極，

其中，所述源極和所述漏極分別與部分所述第二區域相接觸。

5.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板的制作方法，其中，所述濕法刻蝕過程中采用的刻蝕液對所述刻蝕阻擋層材料與所述半導體層的刻蝕選擇比大于1000:1。

6.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板的制作方法，其中，所述刻蝕阻擋層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一種或組合。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其中，所述半導體層為多晶硅層，在所述襯底基板上形成所述半導體層包括：

在所述襯底基板上沉積非晶硅層，利用激光退火的方式將所述非晶硅層晶化形成所述多晶硅層。