[發(fā)明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107195659B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 操彬彬;錢海蛟;楊成紹;黃寅虎
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/822
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。該陣列基板的制作方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積刻蝕阻擋層材料；在刻蝕阻擋層材料上形成掩模圖案；以掩模圖案為掩模對刻蝕阻擋層材料采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層；以掩模圖案為掩模對半導(dǎo)體層采用干法刻蝕以形成有源層，其中，有源層包括第一區(qū)域以及圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層的第一區(qū)域在襯底基板上的正投影完全重合。采用該制作方法，既可以增大開態(tài)電流和電子遷移率，也可以避免數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升產(chǎn)品的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明至少一個實施例涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)相比于非晶硅具有較高的電子遷移率及穩(wěn)定性，其電子遷移率可達(dá)非晶硅的幾十甚至幾百倍。因此，采用低溫多晶硅材料形成薄膜晶體管的技術(shù)得到了迅速發(fā)展。由低溫多晶硅衍生的新一代液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)或有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(Organic Light-EmittingDiode，OLED)成為重要的顯示技術(shù)，其中的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置具有超薄、低功耗、自身發(fā)光等特點，備受用戶的青睞。在LTPS技術(shù)中采用的頂柵結(jié)構(gòu)具有工藝復(fù)雜以及成本不易控制的缺點，因此，只需4-6步掩模工藝即可完成的底柵型低溫多晶硅薄膜晶體管具有很大的成本優(yōu)勢。為了控制漏電流的大小，底柵型的低溫多晶硅薄膜晶體管一般采用具有刻蝕阻擋層(Etch Stop Layer，ESL)的結(jié)構(gòu)。ESL型薄膜晶體管采用刻蝕阻擋層既可以避免背溝道的損傷，也可以降低溝道的漏電流。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的至少一實施例提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。采用本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法，一方面可以增加薄膜晶體管中源漏極與有源層的接觸面積，進(jìn)而增大開態(tài)電流和電子遷移率，另一方面可以減少對柵極絕緣層的過刻，避免數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升產(chǎn)品的良率。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積刻蝕阻擋層材料；在刻蝕阻擋層材料上形成掩模圖案；以掩模圖案為掩模對刻蝕阻擋層材料采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層；以掩模圖案為掩模對半導(dǎo)體層采用干法刻蝕以形成有源層，其中，有源層包括第一區(qū)域以及圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層的第一區(qū)域在襯底基板上的正投影完全重合。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，形成刻蝕阻擋層包括：刻蝕未被掩模圖案覆蓋的以及位于有源層的第二區(qū)域上的刻蝕阻擋層材料以形成位于有源層的第一區(qū)域上的刻蝕阻擋層。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，刻蝕阻擋層的邊緣與有源層的邊緣沿平行于襯底基板的方向的最小距離為0.5-1.5μm。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，陣列基板的制作方法還包括：在刻蝕阻擋層上形成源極和漏極，其中，源極和漏極分別與部分第二區(qū)域相接觸。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，濕法刻蝕過程中采用的刻蝕液對刻蝕阻擋層材料與半導(dǎo)體層的刻蝕選擇比大于1000:1。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，刻蝕阻擋層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一種或組合。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，半導(dǎo)體層為多晶硅層，在襯底基板上形成半導(dǎo)體層包括：在襯底基板上沉積非晶硅層，利用激光退火的方式將非晶硅層晶化形成多晶硅層。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板、設(shè)置在襯底基板上的有源層以及設(shè)置在有源層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)的刻蝕阻擋層，有源層包括第一區(qū)域以及圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層的第一區(qū)域在襯底基板上的正投影完全重合。