[發(fā)明專利]一種探測(cè)基板及其制備方法、x射線探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710391276.0
• 申請(qǐng)日: 2017-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107170765B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卜倩倩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

本發(fā)明公開(kāi)了一種探測(cè)基板，其形成有TFT器件和PIN器件，探測(cè)基板包括：基板；源漏極金屬層，其形成在基板上方，源漏極金屬層包括TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)，TFT電極區(qū)用作TFT器件的源漏電極，PIN電極區(qū)用作PIN器件的下部電極，其中，TFT電極區(qū)上形成有鈍化層，鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的部分的表面與PIN電極區(qū)的表面相接并齊平。本發(fā)明還公開(kāi)了制備探測(cè)基板的方法和包括探測(cè)基板的x射線探測(cè)器。通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠減小PIN器件的內(nèi)部應(yīng)力，提高PIN器件的探測(cè)靈敏度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種探測(cè)基板及其制備方法以及包括該探測(cè)基板的x射線探測(cè)器。

背景技術(shù)

X射線是一種波長(zhǎng)約為10-0.01納米之間的超短電磁波，X射線穿過(guò)物體后，物體吸收和散射會(huì)使X射線的強(qiáng)度或相位發(fā)生變化，而這種變化與物體的材料、結(jié)構(gòu)、厚度、缺陷等特性相關(guān)，因此可以通過(guò)信號(hào)檢測(cè)物體內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在醫(yī)療影像檢測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)安全檢測(cè)、天文探測(cè)、高能離子檢測(cè)、環(huán)境安全探測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。

數(shù)字化X射線探測(cè)通常指電子成像板技術(shù)-平板探測(cè)器技術(shù)。其中電子成像板由大量微小的帶有薄膜晶體管(TFT)的探測(cè)器成陣列排列而成,其關(guān)鍵部位是獲取圖像的平板探測(cè)器，由X射線轉(zhuǎn)換層，PIN光電二極管，薄膜晶體管，信號(hào)儲(chǔ)存基本像素單元以及信號(hào)放大與信號(hào)讀取等組成。

在X射線探測(cè)基板的制備過(guò)程中，在PIN器件形成時(shí)容易在其Si層中產(chǎn)生膜應(yīng)力，導(dǎo)致PIN薄膜制備條件苛刻且制得的PIN光電二極管靈敏度下降。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提出了一種探測(cè)基板，其中的PIN器件具有降低的薄膜應(yīng)力，從而能夠提高PIN器件的靈敏度。

在本發(fā)明的探測(cè)基板中形成有TFT器件和PIN器件，探測(cè)基板包括：基板；源漏極金屬層，其形成在所述基板上方，所述源漏極金屬層包括TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)，TFT電極區(qū)用作TFT器件的源漏電極，PIN電極區(qū)用作PIN器件的下部電極，其中，所述TFT電極區(qū)上形成有鈍化層，所述鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的部分的表面與PIN電極區(qū)的表面相接并齊平。

作為優(yōu)選，所述源漏極金屬層的TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)一體形成。

作為優(yōu)選，所述PIN器件為非晶硅PIN光電二極管，其包括所述下部電極、N型非晶硅層、本征非晶硅層、P型非晶硅層和上部電極。

作為優(yōu)選，N型非晶硅層和P型非晶硅層的厚度選自300-1000埃米，本征非晶硅層的厚度選自1-1.5微米。

作為優(yōu)選，TFT器件的柵極金屬形成在所述基板上，在柵極金屬和源漏極金屬層之間形成有柵極絕緣層。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種x射線探測(cè)器，其包括上述探測(cè)基板。

本發(fā)明實(shí)施例同時(shí)提供了一種制備探測(cè)基板的方法，包括：制備一基板；在所述基板上形成TFT器件，其中，形成TFT器件包括形成源漏極金屬層，形成所述源漏極金屬層包括形成TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)，TFT電極區(qū)用作TFT器件的源漏電極；在所述TFT電極區(qū)上形成鈍化層，使得所述鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的部分的表面與PIN電極區(qū)的表面相接并齊平；形成PIN器件，所述PIN電極區(qū)用作所述PIN器件的下部電極。

作為優(yōu)選，在形成所述源漏極金屬層時(shí)，同時(shí)形成TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)。

作為優(yōu)選，形成所述源漏極金屬層包括：在基板上方形成金屬層；制備半色調(diào)掩模板，使得所述半色調(diào)掩模板的用于形成PIN電極區(qū)的部分的透光率低于用于形成TFT電極區(qū)的部分的透光率；使用所述半色調(diào)掩模板對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化形成所述源漏極金屬層，使得所形成的PIN電極區(qū)的厚度大于所形成的TFT電極區(qū)的厚度。