[發明專利]一種探測基板及其制備方法、x射線探測器

有效

• 申請號: 201710391276.0
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107170765B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 卜倩倩
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

1.一種探測基板，其形成有TFT器件和PIN器件，所述探測基板包括：

基板；

源漏極金屬層，其形成在所述基板上方，所述源漏極金屬層包括一體同時形成的TFT電極區和PIN電極區，TFT電極區用作TFT器件的源漏電極，PIN電極區用作PIN器件的下部電極，

其中，所述TFT電極區上形成有鈍化層，所述鈍化層的鄰近PIN電極區的部分的表面與PIN電極區的表面相接并齊平。

2.如權利要求1所述的探測基板，其中，所述PIN器件為非晶硅PIN光電二極管，其包括所述下部電極、N型非晶硅層、本征非晶硅層、P型非晶硅層和上部電極。

3.如權利要求2所述的探測基板，其中，N型非晶硅層和P型非晶硅層的厚度選自300-1000埃米，本征非晶硅層的厚度選自1-1.5微米。

4.如權利要求1-3中任一項所述的探測基板，其中，TFT器件的柵極金屬形成在所述基板上，在柵極金屬和源漏極金屬層之間形成有柵極絕緣層。

5.一種x射線探測器，其特征在于，包括如權利要求1-4中任一項所述的探測基板。

6.一種制備探測基板的方法，包括：

制備一基板；

在所述基板上形成TFT器件，其中，形成TFT器件包括形成源漏極金屬層，形成所述源漏極金屬層包括形成TFT電極區和PIN電極區，TFT電極區用作TFT器件的源漏電極；

在所述TFT電極區上形成鈍化層，使得所述鈍化層的鄰近PIN電極區的部分的表面與PIN電極區的表面相接并齊平；

形成PIN器件，所述PIN電極區用作所述PIN器件的下部電極，

其中，在形成所述源漏極金屬層時，一體同時形成TFT電極區和PIN電極區。

7.如權利要求6所述的方法，其中，形成所述源漏極金屬層包括：

在基板上方形成金屬層；

制備半色調掩模板，使得所述半色調掩模板的用于形成PIN電極區的部分的透光率低于用于形成TFT電極區的部分的透光率；

使用所述半色調掩模板對所述金屬層進行圖案化形成所述源漏極金屬層，使得所形成的PIN電極區的厚度大于所形成的TFT電極區的厚度。

8.如權利要求6或7所述的方法，其中，PIN器件為非晶硅PIN光電二極管，形成PIN器件包括：

在PIN電極區以及所述鈍化層的鄰近PIN電極區的部分上依次鍍N型非晶硅膜、本征非晶硅膜和P型非晶硅膜；

對所形成的N型非晶硅膜、本征非晶硅膜和P型非晶硅膜進行圖案化，去除形成在所述鈍化層的鄰近PIN電極區的所述部分上的N型非晶硅膜、本征非晶硅膜和P型非晶硅膜；

在P型非晶硅膜上形成上部電極。