[發(fā)明專利]一種探測(cè)基板及其制備方法、x射線探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710391276.0
• 申請(qǐng)日: 2017-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107170765B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卜倩倩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

1.一種探測(cè)基板，其形成有TFT器件和PIN器件，所述探測(cè)基板包括：

基板；

源漏極金屬層，其形成在所述基板上方，所述源漏極金屬層包括一體同時(shí)形成的TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)，TFT電極區(qū)用作TFT器件的源漏電極，PIN電極區(qū)用作PIN器件的下部電極，

其中，所述TFT電極區(qū)上形成有鈍化層，所述鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的部分的表面與PIN電極區(qū)的表面相接并齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的探測(cè)基板，其中，所述PIN器件為非晶硅PIN光電二極管，其包括所述下部電極、N型非晶硅層、本征非晶硅層、P型非晶硅層和上部電極。

3.如權(quán)利要求2所述的探測(cè)基板，其中，N型非晶硅層和P型非晶硅層的厚度選自300-1000埃米，本征非晶硅層的厚度選自1-1.5微米。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的探測(cè)基板，其中，TFT器件的柵極金屬形成在所述基板上，在柵極金屬和源漏極金屬層之間形成有柵極絕緣層。

5.一種x射線探測(cè)器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的探測(cè)基板。

6.一種制備探測(cè)基板的方法，包括：

制備一基板；

在所述基板上形成TFT器件，其中，形成TFT器件包括形成源漏極金屬層，形成所述源漏極金屬層包括形成TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)，TFT電極區(qū)用作TFT器件的源漏電極；

在所述TFT電極區(qū)上形成鈍化層，使得所述鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的部分的表面與PIN電極區(qū)的表面相接并齊平；

形成PIN器件，所述PIN電極區(qū)用作所述PIN器件的下部電極，

其中，在形成所述源漏極金屬層時(shí)，一體同時(shí)形成TFT電極區(qū)和PIN電極區(qū)。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述源漏極金屬層包括：

在基板上方形成金屬層；

制備半色調(diào)掩模板，使得所述半色調(diào)掩模板的用于形成PIN電極區(qū)的部分的透光率低于用于形成TFT電極區(qū)的部分的透光率；

使用所述半色調(diào)掩模板對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化形成所述源漏極金屬層，使得所形成的PIN電極區(qū)的厚度大于所形成的TFT電極區(qū)的厚度。

8.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其中，PIN器件為非晶硅PIN光電二極管，形成PIN器件包括：

在PIN電極區(qū)以及所述鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的部分上依次鍍N型非晶硅膜、本征非晶硅膜和P型非晶硅膜；

對(duì)所形成的N型非晶硅膜、本征非晶硅膜和P型非晶硅膜進(jìn)行圖案化，去除形成在所述鈍化層的鄰近PIN電極區(qū)的所述部分上的N型非晶硅膜、本征非晶硅膜和P型非晶硅膜；

在P型非晶硅膜上形成上部電極。