[發明專利]自適應溫度和存儲器參數抑制有效
| 申請號: | 201710388599.4 | 申請日: | 2017-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN107767915B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | D·蓋胡;P-L·科;P·羅伊斯維;C·N·Y·葉;J·萬;Y·李 | 申請(專利權)人: | 閃迪技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙志剛;趙蓉民 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自適應 溫度 存儲器 參數 抑制 | ||
本發明涉及自適應溫度和存儲器參數抑制。一種具有存儲器的存儲設備可以修改抑制以減少交叉溫度影響。對抑制的決定可以基于存儲器設備的溫度(即溫度抑制)或者可以基于存儲器設備的健康狀況、使用率或性能(例如熱計數或誤碼率)??梢钥紤]存儲器設備的健康狀況、使用率或性能(例如熱計數或誤碼率)來實施溫度抑制。同樣,基于存儲器設備的健康狀況、使用或性能的抑制可以利用存儲器設備的溫度來優化抑制時間。例如,可修改測試模式矩陣(TMM)以取決于溫度。
技術領域
本申請總體涉及溫度對存儲器設備的影響。更具體地,本申請涉及基于存儲器設備的使用率、健康狀況或使用年限來調整溫度抑制(throttling)并基于溫度調整存儲器參數。
背景技術
諸如閃存之類的非易失性存儲器系統已被廣泛地用于消費產品中。閃存可以以不同的形式找到,例如以便攜式存儲卡的形式,其可以在主機設備之間攜帶或作為嵌入在主機設備中的固態盤(“SSD”)。這種存儲器的耐久性和可靠性的一個考慮因素是交叉溫度(cross temperature)。交叉溫度(即X溫度)可以是數據編程和讀取之間的溫度范圍或溫度波動。例如,當在高溫(熱)時將數據寫入存儲器設備,但是然后在低溫(冷)下讀取時,可能會引起高X溫度。同樣地,在冷溫下寫入并且在高溫下讀取是高的交叉溫度。對于存儲器設備(例如NAND閃存),X溫度可以是限制的可靠性機制。高X溫度可導致錯誤。具體地,X溫度誤碼率(BER)隨著較大的X溫度增量增加。通過解決X溫度可以提高存儲器耐久性和性能。
發明內容
一種具有存儲器的存儲設備可以修改抑制以降低交叉溫度影響。對抑制的決定可以基于存儲器設備溫度(即溫度抑制)或者可以基于存儲器設備的健康狀況、使用率或性能(例如熱計數或誤碼率)??梢钥紤]存儲器設備的健康狀況、使用率或性能(例如熱計數或誤碼率)來實施溫度抑制。同樣,基于存儲器設備的健康狀況、使用率或性能的抑制可以利用存儲器設備的溫度來優化抑制時間。例如,測試模式矩陣(TMM)可以被修改為取決于溫度。
附圖說明
圖1A是示例非易失性存儲器系統的框圖。
圖1B是包括多個非易失性存儲器系統的存儲模塊的框圖。
圖1C是分級存儲系統的框圖。
圖2A是非易失性存儲器系統的控制器的示例性部件的框圖。
圖2B是非易失性存儲器存儲系統的非易失性存儲器的示例性部件的框圖。
圖3是閃存設備控制器的框圖。
圖4是示出示例性交叉溫度(X溫度)情況的圖表。
圖5是用于基于存儲器的健康狀況/使用率和溫度來修改抑制的流程圖。
圖6是用于基于溫度來修改測試模式矩陣(TMM)的流程圖。
圖7是取決于存儲器健康狀況/使用率的溫度抑制閾值的流程圖。
圖8是示出示例性抑制參數的圖。
圖9是示例性三維(3D)存儲器結構的圖示。
圖10是存儲器塊的示例性物理存儲器組織。
具體實施方式
可存在導致必須進行抑制的客戶要求。在使用壽命開始時(“BOL”),設備可能會有變化,并且抑制可用于消除性能差異。同樣,可以存在也能夠通過抑制解決的對服務質量的客戶要求。抑制也可用于控制帶寬。高溫環境中的熱生成速率也可通過抑制來解決。溫度抑制可基于溫度檢測(例如熱環境)發生以防止過熱。該抑制可以被稱為熱抑制,其包括用于控制熱生成的抑制。相反,功率抑制可以指控制功率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于閃迪技術有限公司,未經閃迪技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710388599.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:存儲器系統及其操作方法
- 下一篇:一種感應式智能鎖扣共享公共廁所系統





