[發(fā)明專利]自適應(yīng)溫度和存儲器參數(shù)抑制

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710388599.4
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107767915B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·蓋胡;P-L·科;P·羅伊斯維;C·N·Y·葉;J·萬;Y·李
• 申請（專利權(quán)）人: 閃迪技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙志剛;趙蓉民

1.一種用于在存儲器設(shè)備中進(jìn)行溫度抑制的方法，所述方法包括：

確定所述存儲器設(shè)備的健康狀況值；

基于所述存儲器設(shè)備的所述健康狀況值來修改多個溫度抑制閾值，其中所述溫度抑制閾值中的每個包括某溫度，在該溫度之上所述存儲器設(shè)備被不同地抑制；以及

當(dāng)所述存儲器設(shè)備的溫度超過所述溫度抑制閾值中的每個時(shí)抑制所述存儲器設(shè)備，其中所述抑制包括通過修改編程速度或編程電壓而不禁止編程來降低所述存儲器設(shè)備的性能，進(jìn)一步地，其中所述溫度抑制閾值中的每個與所述編程速度或編程值的不同修改相關(guān)聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述存儲器設(shè)備中的溫度傳感器測量所述溫度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述健康狀況值基于所述存儲器設(shè)備的使用率被確定，進(jìn)一步地，其中所述使用率包括編程/擦除周期的數(shù)量，即PE周期的數(shù)量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中當(dāng)所述PE周期低時(shí)所述溫度抑制閾值中的至少一些增大并且其隨著所述PE周期的增加而逐漸減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個溫度抑制閾值包括不同的抑制級別，使得溫度超過更高的溫度抑制閾值時(shí)，所述性能的抑制被增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中性能中的降低對應(yīng)于針對所述溫度抑制閾值中的每個所增加的溫度被增加。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述性能的降低進(jìn)一步包括延遲命令執(zhí)行和修改命令處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器設(shè)備包括NAND存儲器，并且所述抑制包括抑制存儲器設(shè)備參數(shù)，所述存儲器設(shè)備參數(shù)包括以下各項(xiàng)中的至少一個：時(shí)鐘速率、閃存總線速度、通信方法、命令類型、命令設(shè)置、命令驗(yàn)證、速度裕度或操作電壓。

9.一種存儲器設(shè)備，包括：

溫度傳感器，其被配置為測量所述存儲器設(shè)備的溫度；

具有用于所述存儲器設(shè)備的多個測試參數(shù)的測試模式矩陣，所述多個測試參數(shù)取決于所述溫度，其中所述測試參數(shù)至少包括編程設(shè)置；以及

抑制電路，其被配置為基于所述溫度來抑制所述存儲器設(shè)備以降低交叉溫度，其中所述交叉溫度包括寫入數(shù)據(jù)時(shí)的溫度與讀取數(shù)據(jù)時(shí)的溫度的差。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述編程設(shè)置包括編程速度和編程電壓，進(jìn)一步地其中所述測試參數(shù)還包括命令處理和命令執(zhí)行時(shí)序。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述抑制電路根據(jù)所述溫度進(jìn)行不同抑制。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述抑制電路被配置為降低功率使用率，降低所述存儲器設(shè)備的溫度，改變性能以匹配生產(chǎn)驅(qū)動可變性或提高所述存儲器設(shè)備的耐久性。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述存儲器設(shè)備包括三維存儲器配置即3D存儲器配置，并且其中控制器與閃存的操作和到閃存的存儲相關(guān)聯(lián)。