[發明專利]一種深紫外LED芯片的制造方法有效

申請號：	201710388108.6	申請日：	2017-05-27
公開（公告）號：	CN108963037B	公開（公告）日：	2021-04-27
發明（設計）人：	吳永軍;劉亞柱;唐軍;呂振興	申請（專利權）人：	寧波安芯美半導體有限公司
主分類號：	H01L33/00	分類號：	H01L33/00;H01L21/027
代理公司：	合肥和瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 34118	代理人：	王挺;魏玉嬌
地址：	315336 浙江省寧波市杭州灣***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種深紫 led 芯片制造方法
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【說明書】：

本發明提供一種深紫外LED芯片的制造方法，包括步驟：S1、按照第一指定圖形對所述深紫外LED芯片進行Mesa光刻，將Mesa光刻的部分作為所述深紫外LED芯片的N面，未進行Mesa光刻的部分作為所述深紫外LED芯片的P面；S2、將所述深紫外LED芯片外延層的外周按第一預設寬度向下蝕刻至藍寶石層；S3、在所述P面上按照第二指定圖形蒸鍍P極金屬；S4、在所述N面上蒸鍍N極金屬；S5、蒸鍍絕緣層，并將所述絕緣層按照第三指定圖形內的部分進行挖孔去除形成電極孔；S6、按第四指定圖形蒸鍍焊接第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極通過所述電極孔和所述P極金屬相連，所述第二金屬電極通過所述電極孔和所述N極金屬相連，形成所述深紫外LED芯片。

技術領域

本發明涉及LED芯片制造技術領域，特別是涉及一深紫外LED芯片的制造方法。

背景技術

深紫外LED芯片是發光波長在200-350nm范圍內的LED芯片，進入藍光時代后的又一項重大突破。

深紫外光被廣泛應用于凈水、殺菌消毒、甲醛處理、生化檢測等領域，而過去該波段光源主要由汞燈提供，而LED燈在環保、節能、輕便等方面均遠遠優于傳統汞燈，具有極大的市場和全新的應用場景。近年來國外已有少量深紫外LED芯片出售，其售價是普通藍光LED芯片的1000倍以上，國內該領域仍處于研發階段，尚無產品出售。

由于GaN層對深紫外光的吸收性，主流的深紫外LED芯片均采用倒裝結構，即藍寶石面出光。深紫外LED芯片由于其外延結構與普通藍光LED芯片有較大差異，使用傳統藍光倒裝LED芯片結構制備的深紫外LED芯片阻抗過高，發光效率低。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種深紫外LED芯片的制造方法，用于解決現有技術中阻抗過高，發光效率低的問題。

于本發明的一實施例中，所述第一指定圖形的邊界與所述N極金屬的邊界的距離為7μm-8μm。

于本發明的一實施例中，所述第一預設寬度為4μm-8μm。

于本發明的一實施例中，所述P極金屬的邊界與所述第一指定圖形的邊界之間的距離為3μm-7μm。

于本發明的一實施例中，所述步驟S4包括步驟：S41、在所述N面上上下對稱各蒸鍍六個圓形電極；S42、按照第四指定圖形通過金屬連接片對所述圓形電極進行連接。

于本發明的一實施例中，所述圓形電極的尺寸為50μm-150μm；所述金屬連接片的寬度為5μm-10μm。

于本發明的一實施例中，所述第三指定圖形中的所述電極孔包括P孔和N孔，所述P孔的直徑為20μm-30μm，所述N孔的直徑為40μm-50μm。

于本發明的一實施例中，所述第一金屬電極通過所述P孔和所述P極金屬相連，所述第二金屬電極通過所述N孔和所述N極金屬相連。

如上所述，本發明的一種深紫外LED芯片的制造方法，具有以下有益效果：

電壓低、發光效率高和壽命長。