[發明專利]有機發光二極管顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710387570.4
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN108933154B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 劉則
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 文潔

本公開涉及一種有機發光二極管顯示基板的制備方法及所制備的有機發光二極管顯示基板。所述方法包括：在襯底基板上依次形成輔助電極和具有至少一個過孔的絕緣層；在所述絕緣層上形成有機發光層；向所述過孔中注入導電液體，所述導電液體固化后與所述輔助電極電連接；以及在所述有機發光層上形成陰極層，所述陰極層通過所述過孔中固化的導電液體與所述輔助電極電連接。根據本公開提供的OLED顯示器件的制備方法，可以有效降低陰極層的電壓降，有利于制備大尺寸顯示屏。

技術領域

本公開的實施例涉及顯示技術領域，尤其涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示基板的制備方法及所制造的有機發光二極管顯示基板及包括該顯示基板的顯示裝置。

背景技術

有機發光二極管(OLED)顯示器件中，由于提高分辨率的和延長器件壽命的需求，OLED器件逐步由底發射方式轉為頂發射。在大尺寸有源矩陣OLED(AMOLED)應用中，頂發射需要陰極有足夠的光透過率，氧化物半導體材料具有較高的光透光率，經常被用作陰極的材料。但是，氧化物半導體材料方塊電阻大，無法平衡陰極電壓降(IR drop)和光透過率的問題，很難在大尺寸顯示器上應用。

發明內容

本公開的目的之一是提供一種OLED顯示基板的制備方法及其所制造的OLED顯示基板，其能夠降低陰極壓降，因而適于制備大尺寸顯示屏。

根據本公開的一個方面，提供一種OLED顯示基板的制備方法，包括：

在襯底基板上依次形成輔助電極和具有至少一個過孔的絕緣層，在所述過孔中露出所述輔助電極的至少一部分；

在所述絕緣層上形成有機發光層；

向所述過孔中注入導電液體，所述導電液體固化后與所述輔助電極電連接；以及

在所述有機發光層上形成陰極層，所述陰極層通過所述過孔中固化的導電液體與所述輔助電極電連接。

根據本發明的一個實施例，所述有機發光層包括形成于過孔中的部分。

根據本發明的一個實施例，向所述過孔中注入導電液體包括：通過噴墨打印工藝向所述過孔中噴射導電液滴，以穿透所述有機發光層。

根據本發明的一個實施例，所述導電液滴的溫度在50℃-300℃之間。

根據本發明的一個實施例，所述導電液滴的材料為合金，所述合金的熔點在50℃-300℃之間。

根據本發明的一個實施例，所述導電液滴的材料為焊料，所述焊料的熔點在50℃-300℃之間。

根據本發明的一個實施例，在所述襯底基板上形成導電層，所述輔助電極和所述導電層的圖形通過一次構圖工藝形成。

根據本發明的一個實施例，通過一次構圖工藝形成所述輔助電極和柵線。

根據本發明的一個實施例，通過一次構圖工藝形成所述輔助電極和數據線。

根據本發明的一個實施例，通過一次構圖工藝形成輔助電極和像素電極。

根據本發明的一個實施例，所述絕緣層包括像素界定層，并且，通過一次構圖工藝在所述像素界定層中形成用于限定像素單元的過孔和用于暴露所述輔助電極的所述過孔。

根據本發明的一個實施例，用于限定像素單元的過孔和用于暴露所述輔助電極的所述過孔在襯底基板上的正投影不重疊。

根據本發明的一個實施例，所述絕緣層包括像素界定層和平坦化層，并且，所述過孔穿透所述像素界定層和平坦化層。

根據本發明的一個實施例，所述絕緣層包括像素界定層、平坦化層、鈍化層和柵極絕緣層，所述過孔穿透所述像素界定層、平坦化層、鈍化層和柵極絕緣層。