[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710387570.4 | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN108933154B | 公開(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉則 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 文潔 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光二極管 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管顯示基板的制備方法,包括:
在襯底基板上依次形成輔助電極和具有至少一個過孔的絕緣層,在所述過孔中露出所述輔助電極的至少一部分;
在所述絕緣層上形成有機發(fā)光層;
向所述過孔中注入導電液體,所述導電液體固化后與所述輔助電極電連接;以及
在所述有機發(fā)光層上形成陰極層,所述陰極層通過所述過孔中固化的導電液體與所述輔助電極電連接;
所述有機發(fā)光層包括形成于過孔中的部分;
向所述過孔中注入導電液體包括:通過噴墨打印工藝向所述過孔中噴射導電液滴,以熔化和穿透過孔中的所述有機發(fā)光層;
所述導電液滴的溫度在50℃-300℃之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,所述導電液滴的材料為合金。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中,所述導電液滴的材料為焊料。
4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,在所述襯底基板上形成導電層,所述輔助電極和所述導電層的圖形通過一次構圖工藝形成。
5.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,通過一次構圖工藝形成所述輔助電極和柵線。
6.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,通過一次構圖工藝形成所述輔助電極和數(shù)據(jù)線。
7.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,通過一次構圖工藝形成輔助電極和像素電極。
8.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,所述絕緣層包括像素界定層,并且,通過一次構圖工藝在所述像素界定層中形成用于限定像素單元的過孔和用于暴露所述輔助電極的所述過孔。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法,其中,用于限定像素單元的過孔和用于暴露所述輔助電極的所述過孔在襯底基板上的正投影不重疊。
10.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,所述絕緣層包括像素界定層和平坦化層,并且,所述過孔穿透所述像素界定層和平坦化層。
11.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,所述絕緣層包括像素界定層、平坦化層、鈍化層和柵極絕緣層,所述過孔穿透所述像素界定層、平坦化層、鈍化層和柵極絕緣層。
12.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,靠近顯示基板的中心的所述過孔分布的密度大于靠近顯示基板的邊緣的所述過孔分布的密度。
13.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法,其中,所述輔助電極為條狀,并平行于柵線或數(shù)據(jù)線。
14.一種采用權利要求1-13任一項所述的方法制備的有機發(fā)光二極管顯示基板,包括:
補底基板;
在襯底基板上的輔助電極;
在輔助電極上的絕緣層;
在絕緣層上的有機發(fā)光層;以及
在有機發(fā)光層上的陰極,
其中,在絕緣層中具有至少一個用于連接輔助電極和陰極的過孔,所述過孔中具有導電元件,所述輔助電極和所述陰極通過所述導電元件電連接。
15.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光二極管顯示基板,其中,所述有機發(fā)光層包括形成于過孔中的部分。
16.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光二極管顯示基板,其中,所述輔助電極為條狀,并平行于柵線或數(shù)據(jù)線。
17.一種顯示裝置,包括如權利要求14-16任一項所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





