[發(fā)明專(zhuān)利]一種LED晶元切割方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710386516.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106952986A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳永平 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廈門(mén)市東太耀光電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司: | 深圳市千納專(zhuān)利代理有限公司44218 | 代理人: | 胡堅(jiān) |
| 地址: | 361000 福建省廈門(mén)市火炬高新區(qū)(翔*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 切割 方法 | ||
1.一種LED晶元切割方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1,選定待切割晶元;
S2,在待切割晶元上劃分形成四個(gè)頂點(diǎn)都在待切割晶元圓周上的矩形區(qū);
S3,在待切割晶元的矩形區(qū)按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較大的第一芯片區(qū);
S4,在待切割晶元上的非矩形區(qū)域按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較小的第二芯片區(qū)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于廈門(mén)市東太耀光電子有限公司,未經(jīng)廈門(mén)市東太耀光電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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