[發(fā)明專利]一種LED晶元切割方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710386516.8
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN106952986A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳永平
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門市東太耀光電子有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司44218
• 代理人: 胡堅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED行業(yè)，特別是一種LED晶元切割方法。

背景技術(shù)

晶元切割工藝其實就是通過滾刀機械磨損或鐳射灼燒后，再通過劈裂，將大晶元劈成矩形小晶粒的過程。現(xiàn)有對LED晶元的切割通常是一個LED晶元只能切割成一種規(guī)格的芯片，而在需要不同規(guī)格的芯片時就需要對應(yīng)切割多個LED晶元，然而由于LED晶元為圓面，芯片為方形，這樣導(dǎo)致每個LED晶元在切割過程中費料較多，浪費LED晶元，提高制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明提供了一種LED晶元切割方法， 可在同一LED晶元上同時切割兩種不同大小的芯片，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種LED晶元切割方法，包括以下步驟：

S1，選定待切割晶元；

S2，在待切割晶元上劃分形成四個頂點都在待切割晶元圓周上的矩形區(qū)；

S3，在待切割晶元的矩形區(qū)按照橫向和豎向切割形成面積相對較大的第一芯片區(qū)；

S4，在待切割晶元上的非矩形區(qū)域按照橫向和豎向切割形成面積相對較小的第二芯片區(qū)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供一種LED晶元切割方法，在同一LED晶元的矩形區(qū)切割形成面積相對較大的第一芯片區(qū)，在非矩形區(qū)切割形成面積相對較小的第二芯片區(qū)，這樣可在同一LED晶元上同時切割兩種不同大小的芯片區(qū)，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的一種LED晶元切割方法的示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的一種LED晶元切割方法的流程圖。

具體實施方式

根據(jù)附圖對本發(fā)明提供的優(yōu)選實施方式作出具體說明。

參照圖1和圖2，本發(fā)明提供的一種LED晶元切割方法，具體包括以下步驟：S1，選定待切割晶元；S2，在待切割晶元上劃分形成四個頂點都在待切割晶元圓周上的矩形區(qū)100；S3，在待切割晶元的矩形區(qū)按照橫向和豎向切割形成面積相對較大的第一芯片區(qū)10；S4，在待切割晶元上的非矩形區(qū)域200按照橫向和豎向切割形成面積相對較小的第二芯片區(qū)20，這樣可在同一LED晶元上同時切割兩種不同大小的芯片區(qū)，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

綜上所述，本發(fā)明的技術(shù)方案可以充分有效的實現(xiàn)上述發(fā)明目的，且本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及功能原理都已經(jīng)在實施例中得到充分的驗證，能達(dá)到預(yù)期的功效及目的，在不背離本發(fā)明的原理和實質(zhì)的前提下，可以對發(fā)明的實施例做出多種變更或修改。因此，本發(fā)明包括一切在專利申請范圍中所提到范圍內(nèi)的所有替換內(nèi)容，任何在本發(fā)明申請專利范圍內(nèi)所作的等效變化，皆屬本案申請的專利范圍之內(nèi)。