[發明專利]一種不銹鋼及其制造方法有效
| 申請號: | 201710386033.8 | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN108929984B | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發明(設計)人: | 邵聰 | 申請(專利權)人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | C22C38/02 | 分類號: | C22C38/02;C22C38/58;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/48;C22C38/54;C21D1/26;C21D8/00 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 薛祥輝 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 不銹鋼 及其 制造 方法 | ||
本發明公開一種不銹鋼及其制造方法,涉及金屬冶煉技術領域,用以解決現有技術中奧氏體不銹鋼穩定性差的問題。所述不銹鋼包括:其化學成分質量百分比為:碳C:0.02~0.08%,硅Si:0.2~1.0%,錳Mn:2.0~4.0%,鉻Cr:17.0~18.5%,鎳Ni:8.0~10.0%,氮N:0.12~0.20%,銅Cu:1.00~2.00%,鉬Mo:2.1~3.3%,鈮Nb:0.10~0.20%,硼B:0.0015~0.0025%,鈣Ca:0.0080~0.0120%,氧O≤0.0040%,其余為鐵Fe及不可避免的雜質。
技術領域
本發明涉及金屬冶煉技術領域,特別是涉及一種不銹鋼及其制造方法。
背景技術
奧氏體不銹鋼是應用最廣泛的不銹鋼材料,其種類包含300系和200系,材料的晶體結構為FCC面心立方結構。完全退火態的奧氏體不銹鋼具有無磁或者不導磁的特性。在機械、電子、醫療和通訊等領域應用的不銹鋼部件,常常需要在磁場、電場或者訊號的條件下工作,因此要求部件保持完全無磁的特性,避免干擾信號收集或者傳播。
常用的奧氏體不銹鋼主要鋼種有:SUS304系列,包括SUS304和低碳的SUS304L;耐蝕性更高的SUS316系列,包含SUS316和低碳的SUS316L;節鎳的奧氏體不銹鋼S20100系列,包含201和202。這些鋼種占奧氏體不銹鋼生產和應用比例的90%以上。另外,還有高Cr、Ni的超級奧氏體不銹鋼SUS904L和254SMO等鋼種,這些材料具有高的耐蝕性,同時價格和成本也很高。這些材料在完全退火態均為無磁的奧氏體組織。研究顯示,304、201、316等應用最廣泛的奧氏體不銹鋼,其奧氏體相是亞穩態的。在溫度或者應力、應變或者多個因素的復合作用下,如機械或變形加工、長期受力等,這些奧氏體相會快速轉變為馬氏體相,包括密排六方的hcp馬氏體相或者體心立方BCC結構的α’馬氏體相,而α’馬氏體相是導磁的,其結果是破壞了奧氏體不銹鋼無磁(不導磁)的特性,使材料無法在上述的磁場、電場或者電磁波傳輸的條件下工作。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種不銹鋼及其制造方法,用以解決現有技術中奧氏體不銹鋼穩定性差的問題。
一方面,本發明提供一種不銹鋼,包括:其化學成分質量百分比為:碳C:0.02~0.08%,硅Si:0.2~1.0%,錳Mn:2.0~4.0%,鉻Cr:17.0~18.5%,鎳Ni:8.0~10.0%,氮N:0.12~0.20%,銅Cu:1.00~2.00%,鉬Mo:2.1~3.3%,鈮Nb:0.10~0.20%,硼B:0.0015~0.0025%,鈣Ca:0.0080~0.0120%,氧O≤0.0040%,其余為鐵Fe及不可避免的雜質。
可選的,所述化學成分滿足如下關系:
Ms=1305-61.6Ni-41.7Cr-33.3Mn-27.8Si-1667(C+N)≤-350℃
且Md30/50=580-520C-2Si-16Mn-23Ni-300N-26Cu-10Mo≤-115℃;
其中,Ms是所述不銹鋼在冷卻過程開始產生馬氏體相變的最高溫度,Md是所述不銹鋼形變誘發馬氏體轉變的最高溫度。
可選的,所述不銹鋼的化學成分滿足(Cr+Mo+1.5Si)/(Ni+30N+30C+0.25Cu+0.5Mn)≤1.30,且所述不銹鋼在室溫下為全奧氏體組織。
可選的,所述不銹鋼的化學成分滿足如下關系:PREN=Cr+3.3Mo+16N≥27.0且Nb:C≥2.5且Ca:O≥2.0;其中,所述PREN為所述不銹鋼的耐點蝕當量。
可選的,所述不銹鋼的點蝕電位≥500mV,FeCl3點蝕失重速率≤0.60g/m2·h。
可選的,所述不銹鋼冷卻至液氮-196℃無馬氏體相變,且室溫變形10%無馬氏體相變。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中興通訊股份有限公司,未經中興通訊股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710386033.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





