[發(fā)明專利]一種硅基表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710384578.5
• 申請(qǐng)日: 2017-05-26
• 公開（公告）號(hào): CN107119252B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 滿石清;葉巧云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/02
• 分類號(hào): C23C14/02;C23C14/16;C23C14/34;G01N21/65
• 代理公司: 云南派特律師事務(wù)所 53110
• 代理人: 董建國(guó)

1.一種硅基表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法，其特征在于單晶硅通過表面微結(jié)構(gòu)制備的方法獲得有序金字塔結(jié)構(gòu)，在有序金字塔粒子上鍍有一層金膜；

所述單晶硅表面金字塔納米粒子的直徑為0.5-1.5 μm，所述金膜的厚度為50-200 nm；

所述硅基表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法包括以下步驟：

（1）采用堿性溶液腐蝕獲得單晶硅表面有序金字塔結(jié)構(gòu)；

（2）采用離子濺射鍍膜法在有序金字塔結(jié)構(gòu)的單晶硅表面鍍上一層金膜；

步驟（1）包括：先將單晶硅晶片p型< 100 >其電阻率為1-3Ω?cm切成大小1.6cm×1.6cm用作腐蝕實(shí)驗(yàn)，反應(yīng)前對(duì)單晶硅進(jìn)行預(yù)處理，去除表面雜質(zhì)和氧化物；用等離子清洗儀清洗10min，先后放入純水和無水乙醇中超聲5min，浸泡在溶度為4%的HF中60s，再用超純水超聲洗凈5min，烘干備用，超純水電阻率為18.25 MΩ?cm；配置溶度為10wt%K₂CO₃和2wt%K₂SiO₃溶液，磁力攪拌器溫度設(shè)為85℃，達(dá)到溫度時(shí)把經(jīng)過預(yù)處理的單晶硅片放入密閉容器中反應(yīng)20min，反應(yīng)結(jié)束用超純水反復(fù)超聲清洗，烘干備用。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基表面增強(qiáng)拉曼基底的制備方法，其特征在于步驟（2）包括：

把腐蝕后的單晶硅片放入離子濺射鍍膜機(jī)內(nèi)的基片架上，換成金鈀濺射；調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)盤速度，使金粒子能均勻?yàn)R射到金字塔表面，當(dāng)容器室壓力 0.08mb時(shí)開始鍍膜，鍍膜厚度可通過改變?yōu)R射時(shí)間和電流大小來調(diào)節(jié)。