[發明專利]一種PMOS器件結構

有效

• 申請號: 201710384457.0
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN107180856B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 喬明;李路;梁龍飛;董仕達;周庭宇;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 51232 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 敖歡;葛啟函

本發明提供一種PMOS器件結構，包括P型輕摻雜襯底、N型輕摻雜外延層、P型漂移區、N型bulk端、P型源端、左N型埋層、左隔離區，P型漏端、右N型埋層、右右隔離區，本發明采用向左N型阱區中添加左N型埋層的方法，提高了該區域的載流子濃度，有效阻止了P型漂移區向左耗盡，從而有效地阻止了P型源端與P型漂移區的溝道PNP穿通；同理，通過向右N型阱區中添加右N型埋層有效地阻止了P型漂移區與P型隔離區形成的PNP穿通，提高了小尺寸下器件的可靠性，節省面積，通過向左N型阱區中添加P型調溝，可以降低由左N型阱區帶來的閾值電壓的提升，既提升了該區域的電子濃度，阻止穿通，又能使本發明結構閾值電壓基本維持不變。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種PMOS器件結構。

背景技術

MOSFET，即金屬氧化物半導體場效應管，是一類重要的微電子器件。這是一種電壓控制，單子載流器件，它把電壓輸入的變化轉換成電流輸出的變化，其增益為MOS管的跨導，即電流和輸入電壓的比。MOS管憑借其輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點，在阻抗變換，電子開關，電路驅動等領域應用廣泛。PMOS是一種常用的MOSFET，在器件小型化過程中常常因為溝道變窄，在源漏極電壓增大時，容易發生穿通，導致器件損壞。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明針對一種小尺寸PMOS結構容易發生溝道穿通導致耐壓不夠的問題，提出一種PMOS器件結構。

為實現上述發明目的，本發明技術方案如下：

一種PMOS器件結構，包括P型輕摻雜襯底、位于P型輕摻雜襯底上方的N型輕摻雜外延層，所述N型輕摻雜外延層包括位于其內部中間的P型漂移區，P型漂移區外部左側包括有：N型bulk端、N型bulk端右側的P型源端、P型源端右側下方的左N型埋層、N型bulk端左側的左隔離區，所述左隔離區包括左P型隔離區、左P型隔離區下方的左P型埋層隔離區，P型漂移區的內部右側頂端設有P型漏端，P型漂移區外部右側包括有：右N型埋層、右N型埋層外部右側的右隔離區，所述右隔離區包括右P型隔離區、右P型隔離區下方的右P型埋層隔離區，N型輕摻雜外延層上方覆蓋一層氧化層；在N型bulk端與P型源端之上淀積金屬電極形成源極，在P型漏端之上淀積金屬電極形成漏極，在P型調溝和P型漂移區之上淀積多晶硅形成柵極。

作為優選方式，還包括位于P型漂移區外部左側的左N型阱區，所述N型bulk端位于左N型阱區內部頂端左側，所述P型源端位于左N型阱區內部頂端中間，所述左N型埋層位于P型源端右側下方的左N型阱區內部。

作為優選方式，還包括位于左N型阱區內部的P型調溝，所述P型調溝位于P型源端右側、左N型埋層上方。

作為優選方式，還包括位于P型漂移區外部右側的右N型阱區，右N型埋層位于右N型阱區內部。

作為優選方式，所述器件結構中各摻雜類型相應變為相反的摻雜，即P型摻雜變為N型摻雜的同時，N型摻雜變為P型摻雜。

作為優選方式，左N型阱區和P型漂移區相接或有間隙，右N型阱區與P型漂移區相接或有間隙。

作為優選方式，左N型阱區和左隔離區相接或有間隙，右N型阱區與右隔離區相接或有間隙。

作為優選方式，P型調溝為N型材料。

作為優選方式，所述器件結構所用半導體材料為體硅材料或為SOI材料。