[發明專利]一種PMOS器件結構

有效

• 申請號: 201710384457.0
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN107180856B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 喬明;李路;梁龍飛;董仕達;周庭宇;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 51232 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種PMOS器件結構，其特征在于：包括P型輕摻雜襯底(15)、位于P型輕摻雜襯底(15)上方的N型輕摻雜外延層(14)，所述N型輕摻雜外延層(14)包括位于其內部中間的P型漂移區(9)，P型漂移區(9)外部左側包括有：N型bulk端(3)、N型bulk端(3)右側的P型源端(2)、P型源端(2)右側下方的左N型埋層(101)、N型bulk端(3)左側的左隔離區，所述左隔離區包括左P型隔離區(121)、左P型隔離區(121)下方的左P型埋層隔離區(131)，P型漂移區(9)的內部右側頂端設有P型漏端(1)，P型漂移區(9)外部右側包括有：右N型埋層(102)、右N型埋層(102)外部右側的右隔離區，所述右隔離區包括右P型隔離區(122)、右P型隔離區(122)下方的右P型埋層隔離區(132)，N型輕摻雜外延層(14)上方覆蓋一層氧化層(4)；在N型bulk端(3)與P型源端(2)之上淀積金屬電極形成源極(5)，在P型漏端(1)之上淀積金屬電極形成漏極(7)，在P型調溝(8)和P型漂移區(9)之上淀積多晶硅形成柵極(6)；

還包括位于P型漂移區(9)外部左側的左N型阱區(111)，所述N型bulk端(3)位于左N型阱區(111)內部頂端左側，所述P型源端(2)位于左N型阱區(111)內部頂端中間，所述左N型埋層(101)位于P型源端(2)右側下方的左N型阱區(111)內部；

還包括位于左N型阱區(111)內部的P型調溝(8)，所述P型調溝(8)位于P型源端(2)右側、左N型埋層(101)上方；

還包括位于P型漂移區(9)外部右側的右N型阱區(112)，右N型埋層(102)位于右N型阱區(112)內部。

2.根據權利要求1所述的一種PMOS器件結構，其特征在于：所述器件結構中各摻雜類型相應變為相反的摻雜，即P型摻雜變為N型摻雜的同時，N型摻雜變為P型摻雜。

3.根據權利要求1所述的一種PMOS器件結構，其特征在于：左N型阱區(111)和P型漂移區(9)相接或有間隙，右N型阱區(112)與P型漂移區(9)相接或有間隙。

4.根據權利要求1所述的一種PMOS器件結構，其特征在于：左N型阱區(111)和左隔離區相接或有間隙，右N型阱區(112)與右隔離區相接或有間隙。

5.根據權利要求1所述的一種PMOS器件結構，其特征在于：所述器件結構所用半導體材料為體硅材料或為SOI材料。