[發明專利]一種刻蝕方法以及陣列基板制作方法

有效

• 申請號: 201710380536.4
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107204287B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 諶澤林;楊曉峰;劉學光;柴銘志;楊鐘;呂建偉;蔣凱;陳時洪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/308;G02F1/1333
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

1.一種刻蝕方法，應用于依次包括第一層、第二層、第三層的基板，其特征在于，包括：

在所述第三層形成過孔圖形暴露所述第二層后，使用對所述第三層的刻蝕率小于對所述第二層的刻蝕率的第一刻蝕方法對所述基板進行第一次刻蝕，且使得所述第二層被刻蝕掉的厚度小于所述第二層進行所述第一次刻蝕前的初始厚度；

在所述第一次刻蝕后，使用對所述第三層的刻蝕率大于對所述第二層的刻蝕率的第二刻蝕方法對所述基板進行第二次刻蝕以暴露出所述第一層。

2.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，

所述第三層在進行所述第一次刻蝕前的初始厚度根據所述第三層在所述第一次刻蝕和第二次刻蝕中損失的厚度以及所述第二次刻蝕完成后所述第三層的目標厚度確定。

3.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，

所述第二層在所述第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度為所述第二層的初始厚度的30％～80％。

4.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進行刻蝕，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧氣的流量。

5.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第二刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進行刻蝕，且所述六氟化硫的流量小于所述氧氣的流量。

6.如權利要求1至5任一所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第三層為有機膜層。

7.如權利要求1至5任一所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一層為金屬層，所述第二層為非金屬層。

8.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成金屬層、非金屬層和有機膜層，且所述有機膜層的厚度大于所述陣列基板制作完成后所述有機膜層的目標厚度；

對所述有機膜層進行構圖工藝形成過孔圖形以暴露所述非金屬層；

使用對所述有機膜層的刻蝕率小于對所述非金屬層的刻蝕率的第一刻蝕方法進行第一次刻蝕，且使得所述非金屬層被刻蝕掉的厚度小于所述非金屬層在進行所述第一次刻蝕前的初始厚度；

在所述第一次刻蝕后，使用對所述有機膜層的刻蝕率大于對所述非金屬層的刻蝕率的第二刻蝕方法進行第二次刻蝕以暴露出所述金屬層。

9.如權利要求8所述的陣列基板制作方法，其特征在于，

所述非金屬層在所述第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度為所述非金屬層的初始厚度的30％～80％。

10.如權利要求8所述的陣列基板制作方法，其特征在于，

所述第一刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進行刻蝕，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧氣的流量；

所述第二刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進行刻蝕，且所述六氟化硫的流量小于所述氧氣的流量。