[發明專利]基板保持裝置有效
| 申請號: | 201710379326.3 | 申請日: | 2017-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN107452665B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發明(設計)人: | 石野智浩;菊地真哉 | 申請(專利權)人: | 日本特殊陶業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 | ||
本發明提供一種基板保持裝置。該基板保持裝置能夠謀求抑制基體、以及基體所支承的基板在槽的上方凹陷。基板保持裝置(100)在形成有在上表面開口的通氣孔(11)的平板狀的基體(10)上形成有自基體(10)的上表面朝向上方突出的多個凸部(21)。在基體(10)上形成有在下表面開口并與通氣孔(11)連通的槽(12),在槽(12)上形成有向下方突出的多個凸部(22)。
技術領域
本發明涉及一種將半導體晶圓等的基板吸附并保持于基體的基板保持裝置。
背景技術
以往以來,在半導體制造系統等中,使用有這樣一種基板保持裝置:在支承基板的基體的上表面以及設于平臺的基體的下表面上形成多個凸部(銷),利用該凸部保持基板(例如參照專利文獻1)。
另外,還公知有這樣一種基板保持裝置:具備在基體的下表面具有開口的槽,槽與在基體的上表面開口的通氣孔連通并形成通氣路徑,基體的下表面側支承于平臺,通氣路徑與真空吸引裝置連接。
專利文獻1:日本特許第4333065號公報
發明內容
然而,由于基體在槽處未支承于平臺,因此,存在有基體、以及基體所支承的基板在槽的上方凹陷的問題。
于是,本發明的目的在于提供一種能夠謀求抑制基體、以及基體所支承的基板在槽的上方凹陷的基板保持裝置。
本發明提供一種基板保持裝置,該基板保持裝置在形成有在上表面開口的一個或多個通氣孔的平板狀的基體上,形成有自所述基體的上表面朝向上方突出的多個上表面凸部,其特征在于,在所述基體上形成有在下表面開口并與所述通氣孔連通的槽,在所述槽上形成有向下方突出的多個第1下表面凸部。
根據本發明的基板保持裝置,基體不僅利用基體的下表面,還利用自槽向下方突出的第1下表面凸部支承于用于支承基體的平臺等。由此,能夠謀求抑制基體、以及基板在槽的上方凹陷。
在本發明的基板保持裝置中,優選的是,以自所述基體的下表面向下方突出的方式形成有第1下表面環狀凸部和第2下表面環狀凸部,該第1下表面環狀凸部呈環狀地包圍所述槽,該第2下表面環狀凸部呈環狀地包圍所述第1下表面環狀凸部,在所述第1下表面環狀凸部與所述第2下表面環狀凸部之間形成有自所述基體的下表面朝向下方突出的第2下表面凸部。
該情況下,基體除了利用兩個環狀凸部的下端面和凸部的下端面以外,還利用自槽向下方突出的第1下表面凸部支承于用于支承基體的平臺等。由此,能夠謀求抑制基體、以及基板在槽的上方凹陷。
另外,在本發明的基板保持裝置中,優選的是,所述第1下表面凸部的下端面和所述第2下表面凸部的下端面位于大致同一平面上,并且,所述第1下表面環狀凸部的下端面和所述第2下表面環狀凸部的下端面位于比所述第1下表面凸部和第2下表面凸部低1μm以上且5μm以下的位置。
這是因為,在該情況下,能夠降低與所設置的平臺之間的接觸面積,能夠減少由微粒導致的表面精度的惡化的風險。
另外,所述第1下表面凸部的下端面和所述第2下表面凸部的下端面位于大致同一平面上并不限定于完全位于同一平面上的情況,只要能夠在對支承于基體的上表面側的基板進行各種工序時確保各工序所需要的平面度,就也包含實質上位于同一平面的情況。
附圖說明
圖1是本發明的第1實施方式所涉及的基板保持裝置的基體的示意仰視圖。
圖2是圖1的II-II線處的基板保持裝置的示意剖視圖。
圖3是本發明的第2實施方式所涉及的基板保持裝置的基體的示意仰視圖。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





