[發明專利]基板保持裝置有效
| 申請號： | 201710379326.3 | 申請日： | 2017-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN107452665B | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 石野智浩;菊地真哉 | 申請（專利權）人： | 日本特殊陶業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 保持 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種基板保持裝置，其在形成有在上表面開口的一個或多個通氣孔的平板狀的基體上，形成有自所述基體的上表面朝向上方突出的多個上表面凸部，其特征在于，
在所述基體上形成有在下表面開口并與所述通氣孔連通的槽，形成有自所述槽的底面向下方突出的多個第1下表面凸部。
2.根據權利要求1所述的基板保持裝置，其特征在于，
該基板保持裝置以自所述基體的下表面向下方突出的方式形成有第1下表面環狀凸部和第2下表面環狀凸部，該第1下表面環狀凸部呈環狀地包圍所述槽，該第2下表面環狀凸部呈環狀地包圍所述第1下表面環狀凸部，
在所述第1下表面環狀凸部與所述第2下表面環狀凸部之間形成有自所述基體的下表面朝向下方突出的第2下表面凸部。
3.根據權利要求2所述的基板保持裝置，其特征在于，
所述第1下表面凸部的下端面和所述第2下表面凸部的下端面位于大致同一平面上，并且，所述第1下表面環狀凸部的下端面和所述第2下表面環狀凸部的下端面位于比所述第1下表面凸部和第2下表面凸部低1μm以上且5μm以下的位置。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
