[發明專利]用于光掩模的薄膜以及包括該薄膜的曝光裝置

在審

• 申請號: 201710377476.0
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107561853A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 宋伣在;申鉉振
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 屈玉華

技術領域

示例實施方式涉及用于光掩模的薄膜以及包括用于光掩模的薄膜的曝光裝置，用于光掩模的薄膜保護光掩模免受外部污染。

背景技術

用于光掩模的薄膜在光掩模上提供為薄膜的形式以保護光掩模在光刻期間免受外部污染(例如，灰塵，抗蝕劑等等)。用于光掩模的薄膜需要對于在光刻期間從光源發射的高能光例如極紫外(EUV)光具有高的耐久性而在一定時間或更長的時間內不變形，并且需要對于從其穿過的大部分EUV具有高的透射率。

發明內容

示例實施方式包括用于光掩模的薄膜以及包括用于光掩模的薄膜的曝光裝置，用于光掩模的薄膜保護光掩模免受外部污染。

本發明構思的額外示例實施方式將在下面的描述中被部分地陳述，并且部分地，將從描述中是明顯的，或者可以通過提出的實施方式的實踐習得。

根據本發明構思的示例實施方式，提供一種用于光掩模的薄膜，其保護光掩模免受外部污染，該薄膜包括薄膜膜部，其被提供為與光掩模間隔開并包括具有二維(2D)晶體結構的半導體。

具有2D晶體結構的半導體可以包括過渡金屬二硫族化合物(TMD)。TMD可以包括從包括Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc、Re、Cu、Ga、In、Sn、Ge和Pb的組中選擇的金屬元素以及從包括S、Se和Te的組中選擇的硫族元素。

薄膜膜部的表面粗糙度可以小于幾個納米，例如小于10nm。薄膜膜部的厚度可以為約1nm到約50nm。

薄膜膜部的透光率可以大于或等于約90％。

薄膜還可以包括框架，其被提供在光掩模的邊緣部分處以支撐薄膜膜部。粘合層可以被進一步提供在薄膜膜部與框架之間。

薄膜還可以包括提供在薄膜膜部的至少一表面處的保護層。保護層可以包括碳基材料和過渡金屬二硫族化合物(TMD)中的至少一種。這里，碳基材料可以包括例如非晶碳、石墨烯、納米石墨、碳納米片、碳納米管、SiC和B4C中的至少一種。

根據本發明構思的另一示例實施方式，提供一種掩模版，該掩模版包括光掩模以及構造為保護光掩模免受外部污染的薄膜，其中薄膜包括薄膜膜部，薄膜膜部被提供為與光掩模間隔開并包括具有二維(2D)晶體結構的半導體。

具有2D晶體結構的半導體可以包括過渡金屬二硫族化合物(TMD)。

薄膜還可以包括框架，其被提供在光掩模的邊緣部分處以支撐薄膜膜部。粘合層可以被進一步提供在薄膜膜部與框架之間。

薄膜還可以包括提供在薄膜膜部的至少一表面處的保護層。

光掩模可以包括反射層以及提供在反射層上的吸收圖案。

根據本發明構思的另外的示例實施方式，提供一種曝光裝置，其包括：光源，構造為發射極紫外(EUV)光譜的光；光掩模，構造為通過使用從光源發射的光執行曝光工藝；以及薄膜，構造為保護光掩模免受外部污染，其中薄膜包括薄膜膜部，薄膜膜部被提供為與光掩模間隔開并包括具有二維(2D)晶體結構的半導體。

具有2D晶體結構的半導體可以包括過渡金屬二硫族化合物(TMD)。

薄膜還可以包括提供在薄膜膜部的至少一表面處的保護層。

附圖說明

這些和/或另外的方面將從以下結合附圖對實施方式的描述中變得明顯并且更易理解，附圖中：

圖1示意性地示出根據一示例實施方式的曝光裝置；

圖2示出圖1中所示的曝光裝置的掩模版(reticle)；

圖3示出根據另一示例性實施方式的曝光裝置的掩模版；

圖4A和4B示出圖3中所示的曝光裝置的掩模版的修改示例；

圖5示出根據本發明構思的另一示例實施方式的曝光裝置的掩模版；以及

圖6示出根據本發明構思的另一示例實施方式的曝光裝置的掩模版。

具體實施方式

現在將詳細參照其示例示出在附圖中的實施方式，其中相同的附圖標記始終指相同的元件。在這點上，示例實施方式可以具有不同的形式，并且不應被解釋為限于在此闡明的描述。因此，下面僅通過參照附圖描述實施方式以解釋各方面。當在此使用時，術語“和/或”包括一個或更多個相關列舉項目的任何和所有組合。諸如“中的至少一個”的表述當在一列元素之后時，修飾整列元素，而不修飾該列中的單個元素。