[發(fā)明專利]用于光掩模的薄膜以及包括該薄膜的曝光裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710377476.0
• 申請(qǐng)日: 2017-05-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107561853A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋伣在;申鉉振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/62
• 分類號(hào): G03F1/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種用于光掩模的薄膜，其保護(hù)所述光掩模免受外部污染，所述薄膜包括：

薄膜膜部，與所述光掩模間隔開(kāi)；所述薄膜膜部包括具有二維(2D)晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜，其中具有所述2D晶體結(jié)構(gòu)的所述半導(dǎo)體包括過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMD)。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜，其中所述過(guò)渡金屬二硫族化合物包括包含Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc、Re、Cu、Ga、In、Sn、Ge和Pb中的至少一種的金屬元素以及包含S、Se和Te中的至少一種的硫族元素。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜，其中所述薄膜膜部的表面粗糙度小于10納米。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜，其中所述薄膜膜部的厚度為約1nm到約50nm。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜，其中所述薄膜膜部的透光率大于或等于90％。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜，還包括在所述光掩模的邊緣部分處的框架，所述框架被構(gòu)造為支撐所述薄膜膜部。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜，還包括在所述薄膜膜部與所述框架之間的粘合層。

9.如權(quán)利要求1所述的薄膜，還包括在所述薄膜膜部的至少一表面上的保護(hù)層。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜，其中所述保護(hù)層包括碳基材料和過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMD)中的至少一種。

11.如權(quán)利要求10所述的薄膜，其中所述碳基材料包括非晶碳、石墨烯、納米石墨、碳納米片、碳納米管、SiC和B4C中的至少一種。

12.一種掩模版，包括：

光掩模；以及

薄膜，構(gòu)造為保護(hù)所述光掩模免受外部污染，

其中所述薄膜包括薄膜膜部，所述薄膜膜部與所述光掩模間隔開(kāi)，所述薄膜膜部包括具有二維(2D)晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

13.如權(quán)利要求12所述的掩模版，其中具有所述2D晶體結(jié)構(gòu)的所述半導(dǎo)體包括過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMD)。

14.如權(quán)利要求12所述的掩模版，其中所述薄膜還包括框架，所述框架在所述光掩模的邊緣部分處并構(gòu)造為支撐所述薄膜膜部。

15.如權(quán)利要求14所述的掩模版，其中所述薄膜還包括在所述薄膜膜部與所述框架之間的粘合層。

16.如權(quán)利要求12所述的掩模版，其中所述薄膜還包括在所述薄膜膜部的至少一表面上的保護(hù)層。

17.如權(quán)利要求12所述的掩模版，其中所述光掩模包括反射層以及提供在所述反射層上的吸收?qǐng)D案。

18.一種曝光裝置，包括：

光源，構(gòu)造為發(fā)射光；

光掩模，構(gòu)造為通過(guò)使用從所述光源發(fā)射的光執(zhí)行曝光工藝；以及

薄膜，構(gòu)造為保護(hù)所述光掩模免受外部污染，

其中所述薄膜包括薄膜膜部，所述薄膜膜部與所述光掩模間隔開(kāi)并包括具有二維(2D)晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

19.如權(quán)利要求18所述的曝光裝置，其中具有所述2D晶體結(jié)構(gòu)的所述半導(dǎo)體包括過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMD)。

20.如權(quán)利要求18所述的曝光裝置，其中所述薄膜還包括提供在所述薄膜膜部的至少一表面上的保護(hù)層。

21.如權(quán)利要求18所述的曝光裝置，其中所述光來(lái)自極紫外(EUV)光譜。