[發(fā)明專利]設(shè)計(jì)集成電路的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710377434.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN107436965A
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳星珉;姜鐘九;鄭光鈺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng),韓明花

1.一種設(shè)計(jì)集成電路的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，所述方法包括以下步驟：

接收第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)包括集成電路中的一個(gè)通孔的多個(gè)電阻值，其中，所述多個(gè)電阻值中的每個(gè)電阻值是基于連接到所述通孔的一條導(dǎo)線的寬度和在所述導(dǎo)線與一條相鄰的導(dǎo)線之間的間隔中的至少一種來(lái)限定的；

接收第二數(shù)據(jù)，所述第二數(shù)據(jù)包括集成電路的布圖的物理特性；以及

由處理器基于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)從所述多個(gè)電阻值提取布圖的通孔電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，接收第一數(shù)據(jù)的步驟包括接收這樣的所述多個(gè)電阻值，其中，所述多個(gè)電阻值中的每個(gè)電阻值是基于設(shè)置在所述通孔上的一條上導(dǎo)線的寬度和在所述上導(dǎo)線與一條相鄰的上導(dǎo)線之間的間隔中的至少一種來(lái)限定的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，接收第一數(shù)據(jù)的步驟包括接收這樣的所述多個(gè)電阻值，其中，所述多個(gè)電阻值中的每個(gè)電阻值是基于設(shè)置在所述通孔下方的一條下導(dǎo)線的寬度和在所述下導(dǎo)線與一條相鄰的下導(dǎo)線之間的間隔中的至少一種來(lái)限定的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，接收第一數(shù)據(jù)的步驟包括接收這樣的所述多個(gè)電阻值，其中，所述多個(gè)電阻值中的每個(gè)電阻值是基于設(shè)置在所述通孔上的一條上導(dǎo)線的第一寬度和在所述上導(dǎo)線與一條相鄰的上導(dǎo)線之間的第一間隔中的至少一種以及基于設(shè)置在所述通孔下方的一條下導(dǎo)線的第二寬度和在所述下導(dǎo)線與一條相鄰的下導(dǎo)線之間的第二間隔中的至少一種來(lái)限定的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：在接收第二數(shù)據(jù)之前，基于限定集成電路的輸入數(shù)據(jù)通過(guò)執(zhí)行布局布線操作來(lái)產(chǎn)生所述布圖。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，接收第二數(shù)據(jù)的步驟包括接收物理特性，所述物理特性包括布圖中的所述導(dǎo)線的寬度值和相鄰于所述導(dǎo)線的間隔的間隔值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，提取通孔電阻的步驟包括從所述多個(gè)電阻值中提取與所述寬度值和所述間隔值中的至少一種對(duì)應(yīng)的電阻值作為所述通孔電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：在提取通孔電阻之后，基于所述通孔電阻對(duì)布圖執(zhí)行布圖后仿真。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，執(zhí)行布圖后仿真的步驟包括基于所述通孔電阻對(duì)集成電路執(zhí)行時(shí)序分析。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括：在執(zhí)行布圖后仿真之后，基于布圖后仿真的結(jié)果修改所述布圖。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括在執(zhí)行布圖后仿真之后：

基于所述布圖或修改后的布圖制造掩模；以及

利用掩模在晶片上形成集成電路。

12.一種設(shè)計(jì)集成電路的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，所述方法包括以下步驟：

基于集成電路中的連接到一個(gè)通孔的一條導(dǎo)線的物理特性，由處理器限定針對(duì)所述通孔的寄生元素的多個(gè)特性值；

生成所述通孔的寄生元素文件，其中，寄生元素文件包括所述多個(gè)特性值；以及

輸出寄生元素文件。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述通孔的寄生元素包括通孔電阻，

限定所述多個(gè)特性值的步驟包括基于所述導(dǎo)線的寬度和在所述導(dǎo)線與一條相鄰的導(dǎo)線之間的間隔中的至少一種來(lái)限定所述通孔的多個(gè)電阻值。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括以下步驟中的至少一個(gè)：

基于限定集成電路的輸入數(shù)據(jù)通過(guò)參考標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)來(lái)產(chǎn)生集成電路的布圖；以及

基于所述布圖的物理特性從寄生元素文件提取所述通孔的寄生元素。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，限定所述多個(gè)特性值的步驟包括以下步驟中的至少一個(gè)：

基于設(shè)置在所述通孔上的一條上導(dǎo)線的第一寬度和在所述上導(dǎo)線和一條相鄰的上導(dǎo)線之間的第一間隔中的至少一種來(lái)限定所述多個(gè)特性值；

基于設(shè)置在所述通孔下方的一條下導(dǎo)線的第二寬度或在所述下導(dǎo)線和一條相鄰的下導(dǎo)線之間的第二間隔中的至少一種來(lái)限定所述多個(gè)特性值；以及

基于第一寬度和第一間隔中的至少一種并基于第二寬度和第二間隔中的至少一種來(lái)限定所述多個(gè)特性值。