[發(fā)明專利]襯底晶片上芯片結(jié)構(gòu)的形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710377159.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108269767A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳偉銘;吳集錫;丁國(guó)強(qiáng);侯上勇;俞篤豪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/31 | 分類號(hào)： | H01L23/31;H01L21/56;H01L25/07 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第一表面 第二管 插器 管芯 貼合 襯底 表面相對(duì) 襯底晶片 上芯片 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種襯底晶片上芯片結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
將第一管芯及第二管芯貼合至介插器；
將第一襯底貼合至所述第一管芯的第一表面及所述第二管芯的第一表面，所述第一襯底包含硅，所述第一管芯的所述第一表面與所述第一管芯的貼合至所述介插器的表面相對(duì)，且所述第二管芯的所述第一表面與所述第二管芯的貼合至所述介插器的表面相對(duì)；以及
將所述介插器結(jié)合至第二襯底。
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