[發(fā)明專利]壓縮成形裝置、樹脂封裝品制造裝置、壓縮成形方法以及樹脂封裝品的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710376340.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107424939B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田村孝司 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東和株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;B29C43/36;B29C43/50 |
| 代理公司: | 11285 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 鐘守期;侯婧 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓縮 成形 裝置 樹脂 封裝 制造 方法 以及 | ||
1.一種壓縮成形裝置,包含具有上模和下模的成形模,其特征在于,
所述上模以及所述下模在各自相對(duì)的面上分別具有上模型腔和下模型腔,
所述下模具有下模底面部件和下模側(cè)面部件,
所述下模底面部件的上表面的至少一部分構(gòu)成所述下模型腔的底面,
所述下模側(cè)面部件的內(nèi)側(cè)面的至少一部分構(gòu)成所述下模型腔的側(cè)面,
所述下模底面部件以及所述下模側(cè)面部件各自可分別升降,
所述上模具有能夠從所述上模型腔上表面進(jìn)出的起模桿,
通過所述下模型腔和所述上模型腔,將配置在所述上模型腔和所述下模型腔之間的基板的雙面以壓縮成形進(jìn)行樹脂封裝,
通過將所述下模底面部件以及所述下模側(cè)面部件各自分別升降,而使通過所述基板的樹脂封裝得到的樹脂封裝品從所述下模型腔脫模,
通過使所述起模桿從所述上模型腔上表面突出而將所述樹脂封裝品從所述上模型腔脫模。
2.權(quán)利要求1中記載的壓縮成形裝置,其中,所述下模側(cè)面部件以及所述下模底面部件的至少一個(gè)具有從其內(nèi)表面貫通到外表面貫通孔,
所述貫通孔的所述下模內(nèi)表面?zhèn)仍谕ㄟ^所述下模型腔進(jìn)行樹脂封裝時(shí),相對(duì)于所述下模型腔內(nèi)表面關(guān)閉,在將所述樹脂封裝品從所述下模型腔脫模時(shí),相對(duì)于所述下模型腔內(nèi)表面開口。
3.權(quán)利要求2中記載的壓縮成形裝置,其中,所述下模側(cè)面部件具有從其內(nèi)側(cè)面貫通到外側(cè)面的所述貫通孔,
在通過所述下模型腔進(jìn)行樹脂封裝時(shí),所述貫通孔的所述下模側(cè)面部件內(nèi)側(cè)面?zhèn)韧ㄟ^所述下模底面部件關(guān)閉,
在將所述樹脂封裝品從所述下模型腔脫模時(shí),通過使所述下模底面部件相對(duì)于所述下模側(cè)面部件下降而所述下模側(cè)面部件的貫通孔的內(nèi)側(cè)面?zhèn)认鄬?duì)于所述下模型腔開口。
4.權(quán)利要求2或3中記載的壓縮成形裝置,其中,所述貫通孔的內(nèi)部具有柱狀部件,
所述柱狀部件通過向所述貫通孔的所述下模內(nèi)表面?zhèn)炔迦耄申P(guān)閉所述下模內(nèi)表面?zhèn)龋⑶遥?/p>
所述柱狀部件通過從所述貫通孔的所述下模內(nèi)表面?zhèn)壤觯纱蜷_所述下模內(nèi)表面?zhèn)取?/p>
5.權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)中記載的壓縮成形裝置,其中,所述下模側(cè)面部件具有框架浮動(dòng)銷,
所述框架浮動(dòng)銷能載置基板,同時(shí)能夠從所述下模側(cè)面部件上表面進(jìn)出。
6.權(quán)利要求5中記載的壓縮成形裝置,其中,所述框架浮動(dòng)銷以從所述下模側(cè)面部件上表面向上方突出的方式設(shè)置,
所述框架浮動(dòng)銷可將所述基板以從所述下模側(cè)面部件上表面脫離的狀態(tài)載置。
7.權(quán)利要求5記載的壓縮成形裝置,其中,就所述框架浮動(dòng)銷而言,其前端包含突起狀的基板位置決定部,
通過所述基板位置決定部插入設(shè)置在所述基板的貫通孔,而所述框架浮動(dòng)銷可載置所述基板。
8.權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)中記載的壓縮成形裝置,其中,進(jìn)一步具有,
下部基臺(tái)、
直立設(shè)置在所述下部基臺(tái)的支撐部件、
設(shè)置在所述支撐部件的上部并面對(duì)所述下部基臺(tái)的上部基臺(tái)、
在所述支撐部件的中間部以可升降的方式設(shè)置的升降盤、
安裝在所述下部基臺(tái)的第1驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、
安裝在所述升降盤的第2驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、
連接所述第1驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和所述升降盤的主連接部件、
連接在所述下模側(cè)面部件的第1副連接部件、和連接在所述下模底面部件的第2副連接部件,
所述上模設(shè)置在所述上部基臺(tái),
所述第1副連接部件連接于所述升降盤,
所述第2副連接部件連接于所述第2驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),
所述下模側(cè)面部件通過由所述第1驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)所上下驅(qū)動(dòng)的所述升降盤而上下驅(qū)動(dòng),
所述下模底面部件通過所述第2驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而上下驅(qū)動(dòng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





