[發明專利]用于DDR SDRAM接口的DRAM輔助糾錯方法

有效

• 申請號: 201710376331.9
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107766172B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 牛迪民;張牧天;鄭宏忠;金炫中;宋元亨;崔璋石
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;董婷

1.一種使用雙倍數據速率接口來糾正動態隨機存取存儲器模塊的存儲器錯誤的方法，所述方法允許存儲器控制器在來自動態隨機存取存儲器模塊的輔助下識別芯片故障，同時使用減少的糾錯碼芯片開銷或減少的內部預取尺寸，所述方法包括：

利用存儲器控制器進行包括多個突發的存儲器事務，以將數據從動態隨機存取存儲器模塊的數據芯片發送到存儲器控制器；

使用動態隨機存取存儲器模塊的糾錯碼芯片來檢測一個或多個錯誤；

使用動態隨機存取存儲器模塊的糾錯碼芯片來確定具有錯誤的突發的數量；

確定具有錯誤的突發的數量是否大于閾值數量；

確定錯誤的類型；以及

基于所確定的錯誤的類型來指引存儲器控制器，

其中，動態隨機存取存儲器模塊包括每個存儲器通道單個糾錯碼芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，使用動態隨機存取存儲器模塊的糾錯碼芯片檢測一個或多個錯誤的步驟包括：使用糾錯碼芯片對每個突發執行奇偶校驗。

3.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：當具有錯誤的突發的數量不大于閾值數量時，指引存儲器控制器重試從動態隨機存取存儲器模塊的存儲器讀取。

4.根據權利要求3所述的方法，所述方法還包括：當存儲器控制器重試存儲器讀取時檢測另外的錯誤；以及

確定另外的錯誤是否具有與檢測到的一個或多個錯誤相同的錯誤模式。

5.根據權利要求4所述的方法，所述方法還包括：當確定另外的錯誤具有與檢測到的一個或多個錯誤不同的錯誤模式時，指引存儲器控制器再次重試從動態隨機存取存儲器模塊的存儲器讀取。

6.根據權利要求4所述的方法，所述方法還包括：當確定另外的錯誤具有與檢測到的一個或多個錯誤相同的錯誤模式時，識別出硬錯誤；

指引存儲器控制器輔助動態隨機存取存儲器模塊進行糾錯；以及

記錄錯誤的地址。

7.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：當具有錯誤的突發的數量大于閾值數量時，確定所述一個或多個錯誤是否對應于同一芯片的同一引腳。

8.根據權利要求7所述的方法，所述方法還包括：當確定所述一個或多個錯誤對應于動態隨機存取存儲器模塊的同一芯片的同一引腳時，確定所述一個或多個錯誤對應于引腳故障；以及

當確定所述一個或多個錯誤不對應于同一芯片的同一引腳時，確定所述一個或多個錯誤對應于芯片故障。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，指引存儲器控制器的步驟包括：當所述一個或多個錯誤對應于引腳故障或芯片故障時，指引存儲器控制器輔助芯片刪除檢測。

10.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：當具有錯誤的突發的數量大于閾值數量時，確定所述一個或多個錯誤是否對應于動態隨機存取存儲器模塊的一個以上的芯片；

當確定所述一個或多個錯誤對應于動態隨機存取存儲器模塊的同一芯片時，將動態隨機存取存儲器模塊的相應芯片標記為擦除；以及

當確定所述一個或多個錯誤對應于動態隨機存取存儲器模塊的一個以上的芯片時，識別出致命的錯誤。

11.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：當具有錯誤的突發的數量大于閾值數量時，確定動態隨機存取存儲器模塊的另一個芯片是否先前已經被擦除；以及

當動態隨機存取存儲器模塊的所述另一個芯片先前已經被擦除時，識別出致命的錯誤。