[發明專利]砂漿供應裝置

在審

• 申請號: 201710375312.4
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN108943457A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 汪燕;劉源
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/00;B01D29/58;B01D29/90
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

本發明提供了一種砂漿供應裝置，所述砂漿供應裝置用于晶圓切割系統，所述砂漿供應裝置包括第一承載裝置、第一管道、第一過濾網和第一攪拌裝置，其中：所述第一承載裝置向所述第一管道提供砂漿，所述第一管道向所述晶圓切割系統中的鋼線提供砂漿；位于所述第一管道中的所述第一過濾網對通過所述第一管道的砂漿進行過濾，以使砂漿中的碳化硅顆粒粒徑不超過標準值；位于所述第一管道中的所述第一攪拌裝置接觸所述第一過濾網，所述第一攪拌裝置以第一管道中心線為軸轉動，以刮除或打碎未通過所述第一過濾網的碳化硅顆粒。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種砂漿供應裝置。

背景技術

在硅片制造過程中，需要將硅單晶晶棒切成具有精確厚度的薄片狀的晶圓，這一制程往往決定了晶圓翹曲度的大小，同時也對后續制程的效率產生重要的影響。在早期的小尺寸晶圓切片制程上，內徑切割機是常用的加工機臺，而隨著晶圓尺寸擴展至300mm，線切割機已取代內徑切割機，在晶圓切割工藝上被廣泛應用。

如圖1所示，晶圓進給裝置40’將晶圓30’提供至鋼線10’處進行切割。晶圓切割系統需要符合以下幾個特點，才能滿足大尺寸晶圓30’的切割要求：對大尺寸晶棒的切片效率高；具有較低的切損；具有較好的表面粗糙度。目前采用的線切割設備由于采用了多條鋼線10’切割，切片效率相比于內徑切割已有了大幅提高。然而線切割作為一種高效的切削手段，需要砂漿供應裝置20’向鋼線10’上噴射砂漿，砂漿成分包括碳化硅(SiC)顆粒與有機溶劑，才能最好的達到300mm晶圓的切割需求。供給給線切割設備的砂漿需要粒徑統一，SiC顆粒間無團聚，同時砂漿供應要流量均勻，且溫度穩定。

現有的砂漿供應系統20’主要由砂漿承載裝置21’、過濾網22’、恒溫器23’、管道24’和砂漿噴嘴25’構成。現有技術主要存在的問題有：過濾網22’容易被堵塞，造成砂漿供給流量變化；為了不使過濾網22’被堵塞，過濾網22’的孔徑往往較大，造成過濾后的碳化硅顆粒粒徑不均勻；砂漿在管路里流動，無其他作用力，造成碳化硅顆粒在有機溶劑的作用下團聚，造成砂漿粘性增加，更易堵塞過濾網。

因此，需要設計一種砂漿供應裝置以解決砂漿堵塞過濾網的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種砂漿供應裝置，以解決現有的砂漿堵塞過濾網的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種砂漿供應裝置，所述砂漿供應裝置用于晶圓切割系統，所述砂漿供應裝置包括第一承載裝置、第一管道、第一過濾網和第一攪拌裝置，其中：

所述第一承載裝置向所述第一管道提供砂漿，所述第一管道向所述晶圓切割系統中的鋼線提供砂漿；

位于所述第一管道中的所述第一過濾網對通過所述第一管道的砂漿進行過濾；

位于所述第一管道中的所述第一攪拌裝置接觸所述第一過濾網，所述第一攪拌裝置以第一管道中心線為軸轉動，以刮除或打碎未通過所述第一過濾網的碳化硅顆粒。

可選的，在所述的砂漿供應裝置中，所述砂漿供應裝置還包括第二過濾網和第二攪拌裝置，其中：

位于所述第一管道中的所述砂漿通過所述第一過濾網后，被提供至所述第二過濾網，所述第二過濾網對通過所述第一過濾網的砂漿進行再次過濾，以使砂漿中的碳化硅顆粒粒徑不超過標準值；

所述第二攪拌裝置位于所述第一過濾網和所述第二過濾網之間，并接觸所述第二過濾網，所述第二攪拌裝置以第一管道中心線為軸轉動，以刮除或打碎未通過所述第二過濾網的碳化硅顆粒。

可選的，在所述的砂漿供應裝置中，所述第二攪拌裝置還接觸所述第一過濾網，以刮除附著在所述第一過濾網上的碳化硅顆粒。

可選的，在所述的砂漿供應裝置中，所述第二過濾網的孔徑小于所述第一過濾網的孔徑。