[發(fā)明專利]卷筒狀積層體及其制造方法，以及制造積層體、增層基板、印刷配線板、電子機(jī)器的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710375136.4
• 申請(qǐng)日: 2017-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN107416581A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高森雅之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: JX金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B65H37/04
• 分類號(hào): B65H37/04
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種卷筒狀積層體，是長條狀第1金屬箔與通過接著劑層貼合在所述第1金屬箔的長條狀第2金屬箔纏繞在支持體而成，

所述接著劑層的厚度在至少一部分中，為1μm以上，且在俯視時(shí)，在所述第1及第2金屬箔互相重疊的區(qū)域的寬度方向的至少兩端部，沿著所述第1及第2金屬箔延伸的方向設(shè)置有所述接著劑層，

所述卷筒狀積層體并非是以下的A)～C)的卷筒狀積層體，

A)所述卷筒狀積層體為僅由下述構(gòu)造構(gòu)成的卷筒狀積層體：在所述第1金屬箔的與所述第2金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第1絕緣層，及在所述第1絕緣層的所述第1金屬箔側(cè)的相反側(cè)的表面具有第1銅箔層，僅依序具有這2層，且，

在所述第2金屬箔的與所述第1金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第2絕緣層，及在所述第2絕緣層的與所述第2金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第2銅箔層，僅依序具有這2層，

B)所述卷筒狀積層體為僅由下述構(gòu)造構(gòu)成的卷筒狀積層體：在前述第1金屬箔的與所述第2金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第1絕緣層，及在所述第1絕緣層的與所述第1金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第1銅箔層，僅具有這2層及貫穿所述第1絕緣層與所述第1銅箔層的通孔，且，

在所述第2金屬箔的與所述第1金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第2絕緣層，及在所述第2絕緣層的與所述第2金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第2銅箔層，僅具有這2層及貫穿所述第2絕緣層與所述第2銅箔層的通孔，

C)所述卷筒狀積層體為僅由下述構(gòu)造構(gòu)成的卷筒狀積層體：在所述第1金屬箔的與所述第2金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第1絕緣層，及在所述第1絕緣層的與所述第1金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第1銅箔層，及貫穿所述第1絕緣層與所述第1銅箔層的第1通孔，及在所述第1銅箔層的與所述第1絕緣層接觸側(cè)的相反側(cè)的表面及所述第1通孔內(nèi)具有第1金屬層，僅具有這3層，且，

在所述第2金屬箔的與所述第1金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第2絕緣層，及在所述第2絕緣層的與所述第2金屬箔接觸側(cè)的相反側(cè)的表面具有第2銅箔層，及貫穿所述第2絕緣層與所述第2銅箔層的第2通孔，及在所述第2銅箔層的與所述第2絕緣層接觸側(cè)的相反側(cè)的表面及所述第2通孔內(nèi)具有第2金屬層，僅具有這3層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷筒狀積層體，其中，所述接著劑層的厚度為300μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷筒狀積層體，其中，所述接著劑層的寬度為0.5mm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷筒狀積層體，其中，所述接著劑層的寬度為100mm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的卷筒狀積層體，其中，所述第1金屬箔及所述第2金屬箔的厚度為5～70μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的卷筒狀積層體，其中，沿著所述第1及第2金屬箔延伸的方向，連續(xù)地或非連續(xù)地設(shè)置有所述接著劑層。

7.一種卷筒狀積層體，是長條狀第1金屬箔與通過接著劑層貼合在所述第1金屬箔的長條狀第2金屬箔纏繞在支持體而成，

所述接著劑層的厚度在至少一部分中，為1μm以上，且在俯視時(shí)，在所述第1及第2金屬箔互相重疊的區(qū)域的寬度方向的至少兩端部，沿著所述第1及第2金屬箔延伸的方向設(shè)置有所述接著劑層，

在所述卷筒狀積層體的所述第1及第2金屬箔的厚度方向的最表面，當(dāng)畫直線將所述第1及第2金屬箔寬度方向的兩端部對(duì)應(yīng)所述接著劑層的位置的凸起部頂點(diǎn)彼此連結(jié)時(shí)，在所述直線與所述卷筒狀積層體的所述最表面之間產(chǎn)生的空隙的最大深度(d)與所述卷筒狀積層體的卷繞厚度(r)滿足下式，

式：0≦d≦0.1×r。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的卷筒狀積層體，其滿足以下的1)～5)中的任1者或2者或3者或4者或5者，

1)所述接著劑層的厚度為300μm以下，

2)所述接著劑層的寬度為0.5mm以上，

3)所述接著劑層的寬度為100mm以下，

4)所述第1金屬箔及所述第2金屬箔的厚度為5～70μm，

5)沿著所述第1及第2金屬箔延伸的方向連續(xù)地或非連續(xù)地設(shè)置有所述接著劑層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的卷筒狀積層體，其中，在所述直線與所述卷筒狀積層體的所述最表面之間產(chǎn)生的空隙的最大深度(d)與所述卷筒狀積層體的卷繞厚度(r)滿足下式，

式：0≦d≦0.05×r。