[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示設備有效
| 申請號: | 201710374728.4 | 申請日: | 2017-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN106960851B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 李洋;唐碩;孟影;封賓;孫鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 張京波;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 設備 | ||
本發明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示設備。陣列基板,包括:襯底基板;位于襯底基板上的金屬引線和柵極;包括第一過孔的柵極隔離層,設置在襯底基板上、并覆蓋金屬引線和柵極;位于柵極隔離層上的數據線;包括第二過孔的鈍化層,設置在柵極隔離層上、并覆蓋數據線;和導電層,設置在第一過孔和第二過孔的內表面上,通過第一過孔和第二過孔將金屬引線和數據線電連接,數據線和信號線在第一過孔和第二過孔內由導電層直接連接,導電層無需跨越鈍化層,其傳輸距離減小,直接由c向b傳輸,電子在第一過孔和第二過孔內的導電層上的數量減小,這樣在信號線和數據線連接處的導電層的電勢差較小,可有效防止導電層被靜電擊穿。
技術領域
本文涉及但不限于液晶顯示技術,尤指一種陣列基板、一種顯示面板和一種顯示設備和一種陣列基板的制作方法。
背景技術
外圍線路(位于陣列基板的非顯示區上,陣列基板的顯示區位于非顯示區圍成的區域內)包括信號線500、數據線200(設置在玻璃基板100上)、第一隔離層300(設置在玻璃基板100上并覆蓋數據線200)和第二隔離層400,數據線200位于第一隔離層300的下層面上,信號線500位于第一隔離層300的上層面上,第二隔離層400位于所述第一隔離層300的上層面上、并覆蓋信號線500,信號線500在第一隔離層300上橫置、數據線200在第一隔離層300上縱置,第二隔離層400與第一隔離層300直接相連接的部分(且對應于數據線200的位置)設置有第一過孔610,第一過孔610與數據線200垂直對應,第二隔離層400上對應于信號線500的位置設置有第二過孔620,第二過孔620與信號線500垂直對應,第一過孔610內的導電層700在第一過孔610內與數據線200導通后沿第一過孔610的內壁、第二隔離層400的上層面、第二過孔620的內壁之后,在第二過孔620內與信號線500導通,以此實現導電層700連通信號線500和數據線200(具體結構參見圖1所示)。
在陣列基板的玻璃基板100(即:襯底基板)經過摩擦之后,在X區、Y區、Z區的位置(特別是Y區)容易發生靜電擊穿,嚴重的影響產品的品質和良率,并且該類不良無法維修,給公司帶來了很大的損失。
發明內容
在玻璃基板經過摩擦之后,在X區、Y區、Z區的位置容易發生擊穿,以Y區位置最為容易發生。因為在玻璃基板經過摩擦之后為維持表面電荷的平衡,信號線中的電子不斷的向e、f處聚集。考慮到電子傳輸的距離和電阻(e、f間第二隔離層),f處電子聚集量會比e處略多,這樣在e、f處就會因為帶電量的不同產生電勢差,當這個電勢差大于導電層的耐擊穿電壓時就會在該處發生擊穿。
同理在數據線位置,摩擦之后為維持玻璃基板表面電荷,電子會不斷在c、a、d處聚集,考慮到電子傳輸的距離和電阻(c處與a、d處有第一隔離層和第二隔離層),c處電子聚集量會比d、a處略多,這樣在c處和d、a處就會因為帶電量的不同產生電勢差,當這個電勢差大于導電層的耐擊穿電壓時就會在該處發生擊穿。
在Y區位置a、e處都聚集有大量電子,但是經過信號線向e處聚集的電子量會比a處多很多,因為該處信號線連接的一般都為大塊金屬,含有電子多,向e處聚集量大,并且對于f→e和c→a的電子傳輸電阻來說f→e要小(e、f之間僅有第二隔離層,c、a之間有第一隔離層和第二隔離層),這樣a、e處的電勢差就會很大,所以Y區相比于X區、Z區更容易發生擊穿。
為了解決上述技術問題中的至少之一,本文提供了一種陣列基板,能夠減小c、a之間的電勢差,防止發生擊穿,可有效提升產品的品質。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





