[發明專利]半導體器件有效

申請號：	201710374695.3	申請日：	2017-05-24
公開（公告）號：	CN108933166B	公開（公告）日：	2020-08-11
發明（設計）人：	張金;魏洋;姜開利;范守善	申請（專利權）人：	清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
主分類號：	H01L29/24	分類號：	H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/78;B82Y30/00
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件
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【說明書】：

一種半導體元件，其包括一半導體結構，所述半導體結構包括一P型半導體層及一N型半導體層，并定義一第一表面及與第一表面相對的第二表面；一碳納米管，該碳納米管設置于半導體結構的第一表面；一導電膜，該導電膜通過沉積方法形成于所述半導體結構的第二表面，使半導體結構設置于碳納米管和導電膜之間，碳納米管、半導體結構與導電膜相互層疊形成一多層立體結構。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件。

背景技術

近年來，范德華異質結是最近兩年的新興研究領域。范德華異質結通過將具有不同性質(電學以及光學等)的二維材料堆到一起，可以實現對組合而成的“新”材料的性質進行人工調控；由于層間弱的范德華作用力，相鄰的層間不再受晶格必須相匹配的限制；并且，由于沒有成分過渡，所形成的異質結具有原子級陡峭的載流子(勢場)梯度；由于以過渡金屬雙硫族化物為代表的非石墨烯二維層狀材料通常可以形成二類能帶關系，因此以它們為基礎搭建的異質結具有非常強的載流子分離能力；此外，由于超薄的厚度以及特殊的二維結構，使其具有強的柵極響應能力，以及與傳統微電子加工工藝和柔性基底相兼容的特性。

發明內容

本發明提供了新的含有范德華異質結的半導體器件。

一半導體器件，該半導體器件包括一第一電極、一第二電極、一第三電極及一半導體元件；該半導體元件與該第一電極和第二電極電連接，該第三電極通過一絕緣層與該半導體元件、第一電極及第二電極絕緣設置；所述半導體元件包括：一半導體結構，所述半導體結構包括一P型半導體層及一N型半導體層，并定義一第一表面及與第一表面相對的第二表面；一碳納米管，該碳納米管設置于半導體結構的第一表面；一導電膜，該導電膜通過沉積方法形成于所述半導體層的第二表面，使半導體結構設置于碳納米管和導電膜之間，碳納米管、半導體結構與導電膜相互層疊形成一多層立體結構；其中，所述第一電極與碳納米管電連接，所述第二電極與導電膜電連接。

相較于現有技術，本發明提供了一種新的半導體元件及半導體器件，該半導體元件及半導體器件在未來的納米電子學和納米光電子學領域具有巨大的應用潛力。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的半導體元件的整體結構示意圖。

圖2為本發明實施例提供的半導體元件的側視示意圖。

圖3為本發明另實施例提供的另一種半導體元件側視示意圖。

圖4為本發明實施例提供的半導體器件的結構示意圖。

圖5為本發明實施例提供的半導體器件在應用時的特性曲線圖。

主要元件符號說明

半導體元件 100

碳納米管 102

半導體結構 104

P型半導體層 104a