[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710374695.3
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN108933166B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 張金;魏洋;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/78;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件，其包括：一第一電極、一第二電極、一第三電極及一半導體元件；該半導體元件與該第一電極和第二電極電連接，該第三電極通過一絕緣層與該半導體元件、第一電極及第二電極絕緣設置并用于控制所述半導體元件；所述半導體元件包括：

一半導體結構，所述半導體結構包括一P型半導體層及一N型半導體層，并定義一第一表面及與第一表面相對的第二表面；

一碳納米管，該碳納米管設置于半導體結構的第一表面；

一導電膜，該導電膜通過沉積方法形成于所述半導體結構的第二表面，使半導體結構設置于碳納米管和導電膜之間，碳納米管、半導體結構與導電膜相互層疊形成一多層立體結構；

其中，所述第一電極與所述碳納米管電連接，所述第二電極與所述導電膜電連接，所述半導體元件為一基于碳納米管的不對稱范德華異質結構，所述半導體結構為一二維結構，其被不對稱的夾在所述碳納米管和所述導電膜之間。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述碳納米管為金屬型碳納米管。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納米管。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多層立體結構的橫截面面積在1平方納米～100平方納米之間。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體結構的厚度為1納米～100納米。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述導電膜的沉積方法包括離子濺射、磁控濺射或其它鍍膜方法。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述導電膜的厚度為5納米～100納米。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體結構的第一表面為P型半導體層的表面，第二表面為N型半導體層的表面。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體結構的第一表面為N型半導體層的表面，第二表面為P型半導體層的表面。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述P型半導體層和N型半導體層層疊設置形成一P-N結。